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電氣元件制品的制造及其應(yīng)用技術(shù)
  • 與包括 JFET 部分的二極管器件有關(guān)的方法和設(shè)備與流程
    與包括JFET部分的二極管器件有關(guān)的方法和設(shè)備本說(shuō)明書涉及包括結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管部分的二極管器件。各種類型的分立式半導(dǎo)體部件可以一起使用以執(zhí)行計(jì)算應(yīng)用中的各種功能。但是,使用單獨(dú)的分立式半導(dǎo)體部件可以具有許多缺點(diǎn)。例如,生產(chǎn)多個(gè)單獨(dú)的部件的成本可能大于用于將多個(gè)器件集成到單個(gè)分立式部...
  • SMD發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及使用其的顯示面板改良結(jié)構(gòu)的制作方法
    SMD發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及使用其的顯示面板改良結(jié)構(gòu)本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),特別涉及一種SMD發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及使用其的顯示面板改良結(jié)構(gòu)。傳統(tǒng)燈泡耗電高,已不符節(jié)約能源的需求,且對(duì)于環(huán)保所產(chǎn)生的問(wèn)題也日益嚴(yán)重。隨著發(fā)光二極管發(fā)光技術(shù)的發(fā)展,高亮度、高功率及低耗能的產(chǎn)品不斷研發(fā)出來(lái),發(fā)...
  • 用于高電容應(yīng)用的氧化側(cè)壁介電質(zhì)的脈沖方法與流程
    用于高電容應(yīng)用的氧化側(cè)壁介電質(zhì)的脈沖方法本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)儲(chǔ)存存儲(chǔ)器,并且更具體地涉及用于提高存儲(chǔ)單元的電容的方法和設(shè)備。利用能縮小特征尺寸的新興技術(shù),可達(dá)成縮小存儲(chǔ)器裝置(包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)裝置)的尺寸和減少存儲(chǔ)器裝置的功耗的設(shè)計(jì)目標(biāo)。然而,隨著存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)經(jīng)尺度縮減(...
  • 連接模塊及連接模塊系統(tǒng)的制作方法
    連接模塊及連接模塊系統(tǒng)本發(fā)明涉及一種連接模塊以及用于供應(yīng)電流給驅(qū)動(dòng)模塊的連接模塊系統(tǒng),所述連接模塊具有外罩,所述外罩包含被設(shè)置在第一開口的第一連接接觸以及被設(shè)置在第二開口的第二連接接觸,其中所述第一以及所述第二連接接觸每一個(gè)都包括接觸組件,其中所述第一連接接觸的接觸組件以固定方式被設(shè)置在所述外罩中...
  • 基站用射頻拉遠(yuǎn)光電復(fù)合纜的制作方法
    基站用射頻拉遠(yuǎn)光電復(fù)合纜本發(fā)明涉及一種電纜,特別是基站用射頻拉遠(yuǎn)光電復(fù)合纜。光纖拉遠(yuǎn)技術(shù),是將基站的基帶數(shù)字信號(hào)處理單元和無(wú)線射頻拉遠(yuǎn)單元分離,并用光纜把基帶數(shù)字信號(hào)處理單元和無(wú)線射頻你單元之間進(jìn)行連接?;鶐?shù)字處理單元和無(wú)線射頻拉遠(yuǎn)單元之間采用光纖連接,傳輸數(shù)字基帶信號(hào)。無(wú)線射頻...
  • 非水電解質(zhì)二次電池用正極活性物質(zhì)、使用該正極活性物質(zhì)的非水電解質(zhì)二次電池用正極以及使用該正極的非水電解質(zhì)二次電池的制作方法
    非水電解質(zhì)二次電池用正極活性物質(zhì)、使用該正極活性物質(zhì)的非水電解質(zhì)二次電池用正極以及使用該正極的非水電解質(zhì)二次電池本發(fā)明涉及非水電解質(zhì)二次電池用正極活性物質(zhì)、使用該正極活性物質(zhì)的非水電解質(zhì)二次電池用正極以及使用該正極的非水電解質(zhì)二次電池。近年來(lái),移動(dòng)電話、筆記本電腦、個(gè)人數(shù)字助理(P...
  • 使用電容耦合式等離子體的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)及方法與流程
    使用電容耦合式等離子體的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)及方法相關(guān)申請(qǐng)案的交叉引用本申請(qǐng)案是2011年10月3日提出申請(qǐng)的標(biāo)題名稱為“SEMICONDUCTORPROCESSINGSYSTEMANDMETHODSUSINGCAPACITIVELYCOUPLEDPLASMA(使用電容耦合式等離子體的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)及方...
  • SIM卡連接器和移動(dòng)終端的制作方法
    SIM卡連接器和移動(dòng)終端本發(fā)明涉及電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域,特別是涉及一種SIM卡連接器,還涉及一種移動(dòng)終端。SIM(SubscriberIdentityModule,客戶識(shí)別模塊)卡存儲(chǔ)了數(shù)字移動(dòng)電話客戶的信息,加密的密鑰以及用戶的電話簿等內(nèi)容,裝上SIM卡,用戶才能使用移動(dòng)終端進(jìn)行通訊。S...
  • 晶圓結(jié)構(gòu)、芯片結(jié)構(gòu)以及堆迭型芯片結(jié)構(gòu)的制作方法
    晶圓結(jié)構(gòu)、芯片結(jié)構(gòu)以及堆迭型芯片結(jié)構(gòu)本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),且特別是有關(guān)于一種晶圓結(jié)構(gòu)、芯片結(jié)構(gòu)以及堆迭型芯片結(jié)構(gòu)。近年來(lái),因應(yīng)電子產(chǎn)品輕薄短小及多功能的需求,集成電路芯片(integratedcircuitchip,ICchip)必須在尺寸縮小的同時(shí)亦具備高集成密度。為達(dá)到...
  • 卡緣連接器的制作方法
    卡緣連接器本發(fā)明屬于卡緣連接器領(lǐng)域,具體涉及一種MINIPCI連接器。在現(xiàn)有MINIPCI連接器中,其一種設(shè)計(jì)是端子均為利用插針式結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),從而插設(shè)于絕緣本體,例如中國(guó)實(shí)用新型專利ZL200820003164.X所揭示的端子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),端子插針式結(jié)構(gòu)雖具有制程簡(jiǎn)單、不良率低的...
  • 一種高抗拉橡套多芯電纜的制作方法
    一種高抗拉橡套多芯電纜本發(fā)明涉及電力電纜領(lǐng)域,特別是一種柔性更好、抗拉能力更強(qiáng)的橡套多芯電纜。現(xiàn)今,國(guó)內(nèi)外普遍采用兩種方法來(lái)提高電纜的抗拉性能,一種是在橡套電纜的銅導(dǎo)體中增加軟鋼芯(或鋼絲繩)來(lái)提高整股銅絲的抗拉性能,另一種是在電纜絕緣線芯中間增加抗拉絲來(lái)提高整股纜芯的抗拉能力,這...
  • 一種機(jī)柜用抽屜式鋰離子電池模組的制作方法
    一種機(jī)柜用抽屜式鋰離子電池模組本發(fā)明涉及一種機(jī)柜中的抽屜式電池模組,具體地說(shuō)是一種機(jī)柜用抽屜式鋰離子電池模組。通信運(yùn)營(yíng)商所需的通信設(shè)備日漸趨向于集成化、小型化、輕型化,即在有限的空間內(nèi)安裝更多的設(shè)備,通信基站后備電源是通信系統(tǒng)中必不可少的部分,它可以為通信設(shè)備提供安全、可靠、不間斷...
  • 一種高速列車上用的浪涌式電抗器的制作方法
    一種高速列車上用的浪涌式電抗器:本發(fā)明涉及電抗器,更具體地說(shuō)涉及一種高速列車上用的浪涌式電抗器。:在高鐵等高速列車的頂部會(huì)安裝有一種浪涌式電抗器,由于該種電抗器位于室外,而且高速列車的行駛速度非常地快,在行駛的時(shí)候該電抗器收到較大的風(fēng)阻力,因此該電抗器很容易出現(xiàn)破損現(xiàn)象,而...
  • 高強(qiáng)度充電電池保溫箱的制作方法
    高強(qiáng)度充電電池保溫箱本發(fā)明涉及一種新型電池箱,尤其涉及一種高強(qiáng)度充電電池保溫箱?,F(xiàn)有的電池箱大多結(jié)構(gòu)復(fù)雜、生產(chǎn)加工難,并且成本高,使用不方便,電池箱內(nèi)的電池在進(jìn)行充、放電工作時(shí),電池溫度會(huì)有明顯的提高,由于電池一般都是成組使用,因此溫度的變化會(huì)使得電池之間存在溫差,每個(gè)電池的老化率...
  • 一種野戰(zhàn)車輛用樹狀線束的制作方法
    一種野戰(zhàn)車輛用樹狀線束本發(fā)明涉及汽車電氣線路。野戰(zhàn)車輛通常需要在比較惡劣的氣候及地形環(huán)境,比如說(shuō)極端高低溫,高海拔、沙漠、沼澤、冰雪路等中確保傳送電信號(hào),也要保證連接電路的可靠性,向電子電氣部件供應(yīng)規(guī)定的電流值,防止對(duì)周圍電路的電磁干擾,并要排除電器短路。因此野戰(zhàn)車輛用線纜...
  • 高響應(yīng)度有機(jī)太陽(yáng)盲紫外光探測(cè)器本發(fā)明涉及探測(cè)器,尤其涉及一種高響應(yīng)度有機(jī)太陽(yáng)盲紫外光探測(cè)器。技術(shù)背景太陽(yáng)紫外輻射在穿越大氣層的過(guò)程中,由于受到熱層中的氧原子及平流層中臭氧的強(qiáng)烈吸收,只有300-400nm波段的紫外線能夠到達(dá)近地表面空間(25000米以下),導(dǎo)致在該空間大氣內(nèi)幾乎不存在0-...
  • 一種類T型柵掩蔽自對(duì)準(zhǔn)法制備金剛石基FET器件的方法與流程
    一種類T型柵掩蔽自對(duì)準(zhǔn)法制備金剛石基FET器件的方法本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制作方法。以單晶、多晶和納米晶金剛石為材料基礎(chǔ)的器件統(tǒng)稱為金剛石基器件,例如金剛石MESFET、MISFET、JFET等。金剛石基器件具有工作溫度高、擊穿場(chǎng)強(qiáng)大、截止頻率高、功率密度大等優(yōu)點(diǎn),是未來(lái)微...
  • 由多個(gè)電化學(xué)蓄能器組成的蓄電池的制作方法
    由多個(gè)電化學(xué)蓄能器組成的蓄電池在此通過(guò)引用使在先申請(qǐng)DE102011008792.3的全部?jī)?nèi)容成為本申請(qǐng)的組成部分。本發(fā)明涉及一種由多個(gè)電化學(xué)蓄能器組成的蓄電池。電化學(xué)蓄能器需要用于極其不同的應(yīng)用并且相應(yīng)地與非常不同的環(huán)境一體化并根據(jù)應(yīng)用的要求在各種類型的設(shè)置下使用,其中多個(gè)電化學(xué)蓄能器共同連接成...
  • 超小型波導(dǎo)旋轉(zhuǎn)關(guān)節(jié)的制作方法
    超小型波導(dǎo)旋轉(zhuǎn)關(guān)節(jié)本發(fā)明屬于微波通信領(lǐng)域,涉及一種波導(dǎo)旋轉(zhuǎn)關(guān)節(jié),特別是通過(guò)特殊的模式轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)來(lái)減小整體尺寸的一種波導(dǎo)旋轉(zhuǎn)關(guān)節(jié)。在天線微波信號(hào)的傳輸系統(tǒng)中,為了滿足天線在工作中不斷地搜索目標(biāo)、跟蹤目標(biāo)以及測(cè)量目標(biāo)的需要,往往要求天線方位上能360°旋轉(zhuǎn),俯仰上能±90°旋轉(zhuǎn)。此時(shí)網(wǎng)絡(luò)...
  • 高增益寬頻帶介質(zhì)透鏡Vivaldi天線的制作方法
    高增益寬頻帶介質(zhì)透鏡Vivaldi天線本發(fā)明涉及一種高增益寬頻帶介質(zhì)透鏡Vivaldi天線,該陣列天線廣泛應(yīng)用于微波和毫米波領(lǐng)域,可作為移動(dòng)通信領(lǐng)域及軍事雷達(dá)等輻射陣列天線。1979年Gibson提出一種按指數(shù)規(guī)律漸變的槽線天線,即Vivaldi天線,其具有端射輻射、寬頻帶、高增益...
技術(shù)分類