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本公開內(nèi)容涉及半導(dǎo)體裝置和用于半導(dǎo)體裝置的制造工藝。、半導(dǎo)體裝置可以分為非易失性存儲(chǔ)器裝置(例如快閃存儲(chǔ)器裝置)及易失性存儲(chǔ)器裝置(例如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dram))。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置可以具有不同結(jié)構(gòu)，其在芯片上具有不同密度的存儲(chǔ)器單元和線。存儲(chǔ)器裝置通常包括存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)器陣列和控制...

本公開涉及光檢測(cè)裝置和固態(tài)成像裝置。、例如，專利文獻(xiàn)公開了一種成像裝置，其中，通過(guò)將設(shè)置在位于第一半導(dǎo)體基板上的像素之間的邊界處的分離部上的埋入電極與設(shè)置在第一半導(dǎo)體基板上的電荷保持部連接在一起來(lái)減小電荷保持部的半導(dǎo)體區(qū)域的面積。、引文列表、專利文獻(xiàn)、專利文獻(xiàn)：國(guó)際公開號(hào)wo/技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路...

本發(fā)明涉及用于照明系統(tǒng)的電源領(lǐng)域，例如但不限于用于家庭、辦公室、零售、招待業(yè)和工業(yè)的各種不同應(yīng)用中的固態(tài)照明系統(tǒng)或其它負(fù)載。、燈具可以是任何類型的照明單元或照明器具，其包括用于照明和/或通信目的的一個(gè)或多個(gè)光源（例如，可見或不可見（紅外（ir）或紫外（uv））光源），以及可選地包括用于照明...

本說(shuō)明書公開的技術(shù)涉及加熱裝置和電動(dòng)汽車。、在專利文獻(xiàn)中公開了對(duì)流體進(jìn)行加熱的熱交換器。專利文獻(xiàn)的熱交換器具備形成為螺旋狀的傳熱管。、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)、專利文獻(xiàn)、專利文獻(xiàn)：日本特開-號(hào)公報(bào)技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、發(fā)明要解決的問(wèn)題、在專利文獻(xiàn)的熱交換器中，例如，存在在形成為螺旋狀的傳熱管的一部分的周圍被加...

各示例整體涉及用于定時(shí)應(yīng)用的諧振器。更具體地，一些示例涉及用于溫度補(bǔ)償振蕩器的微機(jī)電（mems）諧振器，但不限于此。、在各種應(yīng)用和操作環(huán)境中，機(jī)械振動(dòng)設(shè)備用于通信系統(tǒng)以及需要頻率參考的其他系統(tǒng)。盡管基于石英的諧振設(shè)備和其他聲學(xué)設(shè)備廣泛用于電子系統(tǒng)中，但是與這些系統(tǒng)中的其他組件相比，傳統(tǒng)的石...

本發(fā)明涉及一種使用氫氟烴蝕刻氣體chf等離子體蝕刻介電材料以制造半導(dǎo)體芯片的方法，如用于邏輯裝置的后道工序（beol）互連（溝槽蝕刻和通孔蝕刻）。、用于制造半導(dǎo)體裝置的傳統(tǒng)等離子體蝕刻氣體通常是用于蝕刻含硅材料如sio、sin、sioch等的氟烴或氫氟烴氣體。然而，所使用的氟烴和氫氟烴氣體...

本發(fā)明涉及基片處理系統(tǒng)和基片處理裝置。、專利文獻(xiàn)中公開了一種基片處理系統(tǒng)，其包括在側(cè)面配置有多個(gè)處理模塊的真空輸送模塊。還公開了在處理模塊的上部包括電裝單元，在處理模塊的下部包括電源系統(tǒng)單元的結(jié)構(gòu)。、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)、專利文獻(xiàn)、專利文獻(xiàn)：特開-號(hào)公報(bào)技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題、本發(fā)明的...

本發(fā)明涉及一種安全切換機(jī)構(gòu)，其具有切換條或切換墊形式的觸覺(jué)傳感器，其中，這些切換條或切換墊具有電接觸元件。簡(jiǎn)單起見，接著多次借助細(xì)長(zhǎng)的切換條作為用于安全切換機(jī)構(gòu)的示例解釋本發(fā)明，然而不限制于所述切換條。、設(shè)計(jì)為常閉器的切換條包含接觸鏈，所述接觸鏈由多個(gè)電接觸元件形成，所述電接觸元件串聯(lián)連接...

本發(fā)明的示例性實(shí)施例總體上涉及存儲(chǔ)器領(lǐng)域，更具體地，涉及存儲(chǔ)單元和陣列結(jié)構(gòu)以及相關(guān)聯(lián)的工藝。、隨著電子電路的復(fù)雜性和密度的增加，存儲(chǔ)器的大小、復(fù)雜性和成本都是重要的考慮因素。增加存儲(chǔ)器容量的一種方法是使用三維（d）陣列結(jié)構(gòu)。d陣列結(jié)構(gòu)如今已成功使用于nand閃存。然而，對(duì)于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)...

本發(fā)明屬于等離子清洗，具體地說(shuō)，涉及一種rps源微波等離子電離腔結(jié)構(gòu)及等離子清洗機(jī)。、等離子清洗技術(shù)已經(jīng)在眾多領(lǐng)域得到應(yīng)用并展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，但現(xiàn)有的等離子清洗機(jī)在面對(duì)一些高端應(yīng)用場(chǎng)景時(shí)，仍然存在不足之處。在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，隨著芯片制程工藝不斷向更小尺寸邁進(jìn)，如從?nm、nm發(fā)展到如今的nm...

本申請(qǐng)涉及電子機(jī)械制動(dòng)系統(tǒng)，具體而言，涉及一種電子控制單元的殼體結(jié)構(gòu)、電子機(jī)械制動(dòng)系統(tǒng)及機(jī)動(dòng)車輛。、在現(xiàn)有電子機(jī)械制動(dòng)（emb）系統(tǒng)中，電子控制單元（ecu）與電機(jī)執(zhí)行單元（mgu）分別構(gòu)成控制端與執(zhí)行端。ecu內(nèi)部裝有印刷電路板（pcba），需完全密封以防止水汽、鹽霧侵蝕；mgu在工作時(shí)...

本發(fā)明涉及印制電路板設(shè)計(jì)，具體為增強(qiáng)高低頻轉(zhuǎn)換信號(hào)完整性的混合線路板結(jié)構(gòu)優(yōu)化方法。、隨著工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)和g專網(wǎng)在工廠和園區(qū)的實(shí)現(xiàn)，工業(yè)級(jí)g網(wǎng)關(guān)/cpe等設(shè)備均內(nèi)嵌射頻收發(fā)、本振/中頻鏈路以及高速控制接口，這也要求多層印制電路板在目標(biāo)頻帶內(nèi)的信號(hào)完整和一致性。這種主板一般為–層以上多層板，局部采...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體電子器件，具體涉及一種基于晶界工程的多晶金剛石憶阻器。、隨著大數(shù)據(jù)、人工智能及物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的飛速發(fā)展，對(duì)存儲(chǔ)器件的高密度、低功耗及高速讀寫性能提出了更高的要求。憶阻器（memristor）作為繼電阻、電容、電感之后的第四種基本電路元件，憑借其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、單元尺寸小、讀寫速度快以...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，尤其涉及一種藍(lán)綠雙波段發(fā)光二極管外延片及其制備方法。、發(fā)光二極管（light?emitting?diode)簡(jiǎn)稱led，作為一種節(jié)能環(huán)保的新型光源，led?近年來(lái)受到了很大的關(guān)注，許多國(guó)家將?led?相關(guān)的半導(dǎo)體照明視作一種戰(zhàn)略技術(shù)。、現(xiàn)有應(yīng)用于顯示屏的led背光光源...

本申請(qǐng)涉及電子設(shè)備熱管理，特別涉及一種大功率相變冷板及液冷方法。、隨著現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，芯片的功率密度不斷提高，高熱流密度散熱問(wèn)題突出，傳統(tǒng)的風(fēng)冷技術(shù)因風(fēng)冷能力有限且噪聲大，難以滿足現(xiàn)有芯片的散熱需求，相變冷卻技術(shù)由此成為解決高熱流密度散熱問(wèn)題的主要技術(shù)手段。相變冷板利用冷卻液吸收芯片傳...

本發(fā)明涉及光電顯示，尤其涉及一種太陽(yáng)能光伏光電玻璃的制作方法。、隨著建筑節(jié)能與智能顯示技術(shù)的深度融合，傳統(tǒng)建筑玻璃僅具備采光、隔熱等基礎(chǔ)功能，已無(wú)法滿足現(xiàn)代建筑對(duì)“綠色能源利用智能信息展示”的復(fù)合需求，而單一功能的光伏玻璃或光電顯示玻璃，因功能局限性難以適配多元化場(chǎng)景。市場(chǎng)需一種兼具高透明...

本申請(qǐng)涉及車輛，特別是涉及一種車輛燈光控制方法、系統(tǒng)、裝置和車端控制設(shè)備。、相關(guān)技術(shù)中，針對(duì)于車輛的燈光控制操作，多依賴于用戶手動(dòng)開關(guān)或簡(jiǎn)單的環(huán)境光感應(yīng)。雖然相關(guān)技術(shù)中已有一些技術(shù)方案，會(huì)根據(jù)用車場(chǎng)景的不同，提供差異化的燈光響應(yīng)方案（如調(diào)節(jié)顏色、亮度、閃爍頻率或動(dòng)畫效果），但這些方案通常僅...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試領(lǐng)域，具體涉及一種esop器件裸露焊盤的保護(hù)方法。、esop封裝通過(guò)底部裸露焊盤實(shí)現(xiàn)散熱、電氣互連與機(jī)械支撐功能，后道封裝中需對(duì)該焊盤采取臨時(shí)性物理防護(hù)以規(guī)避非焊接工序中的不良影響。裸露焊盤在運(yùn)輸、檢測(cè)等非焊接工序中易受機(jī)械刮擦、異物污染及靜電吸附影響，需針...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試領(lǐng)域，具體涉及一種底面不平整器件的鍵合固定裝置和方法。、半導(dǎo)體封裝測(cè)試環(huán)節(jié)中，引線鍵合前需將待鍵合器件穩(wěn)定固定于鍵合設(shè)備熱座，這是保障鍵合工藝順利開展的基礎(chǔ)要求。底面不平整或機(jī)械強(qiáng)度低的器件難以通過(guò)現(xiàn)有固定方式實(shí)現(xiàn)可靠固定，且后續(xù)分離易出現(xiàn)損傷或殘膠問(wèn)題，影...

本發(fā)明涉及微通道結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種結(jié)合hpd封裝的igbt模塊的歧管微通道結(jié)構(gòu)。、隨著功率半導(dǎo)體器件向著高功率密度與高頻化方向快速發(fā)展，igbt模塊的散熱問(wèn)題已成為制約其性能提升的關(guān)鍵瓶頸。尤其在新能源汽車、工業(yè)驅(qū)動(dòng)等高需求應(yīng)用領(lǐng)域中，功率模塊的功率密度持續(xù)攀升，單位面積產(chǎn)生的熱量呈指數(shù)級(jí)...