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本發(fā)明涉及光存儲(chǔ)，尤其涉及一種光盤(pán)匣存取裝置。、當(dāng)前的光盤(pán)匣存儲(chǔ)裝置，通過(guò)卡爪電機(jī)帶動(dòng)減速齒輪與滑動(dòng)杠桿，驅(qū)使抓盤(pán)手的卡爪轉(zhuǎn)動(dòng)，以實(shí)現(xiàn)光盤(pán)匣的存取操作。、當(dāng)有取出光盤(pán)匣的需求時(shí)，需由伺服系統(tǒng)發(fā)出指令，驅(qū)動(dòng)卡爪電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)，使抓盤(pán)手的卡爪張開(kāi)，同時(shí)，盤(pán)匣電機(jī)需轉(zhuǎn)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)抓盤(pán)手向光盤(pán)匣所在的光盤(pán)匣...

本公開(kāi)涉及用于對(duì)eprom位單元的源極-漏極電壓準(zhǔn)確地進(jìn)行箝位的電路和方法。、電可編程只讀存儲(chǔ)器(eprom)存儲(chǔ)器是當(dāng)電力被移除時(shí)仍維持位單元數(shù)據(jù)的一種形式的電子存儲(chǔ)器。在長(zhǎng)時(shí)間段內(nèi)維持位單元數(shù)據(jù)狀態(tài)是重要的，且在存儲(chǔ)器讀取操作期間和在備用模式中限制位單元漏極-源極電位(vds)有助于在...

本公開(kāi)的實(shí)施例涉及集成電路技術(shù)，并且更具體地，涉及半導(dǎo)體裝置。、近來(lái)，隨著電子設(shè)備尺寸的減小、功耗的降低、性能的提高以及多樣化，多種電子設(shè)備（諸如計(jì)算機(jī)和便攜式通信設(shè)備）都需要能夠存儲(chǔ)信息的半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置基本上可以分為易失性存儲(chǔ)器件和非易失性存儲(chǔ)器件。易失性存儲(chǔ)器件僅在向其供電的狀...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)，特別涉及一種差分型存儲(chǔ)器。、現(xiàn)有技術(shù)中，一種參考電流型的存儲(chǔ)陣列讀取方式及其地址排布如圖所示，利用存“”和存“”的存儲(chǔ)單元閾值電壓vt不同，在相同柵壓下飽和電流不同的特點(diǎn)，以處于兩者之間的固定電流為參考，通過(guò)比較存儲(chǔ)單元(bitcell)電流與參考電流的大小來(lái)讀...

本公開(kāi)的示例總體上涉及高帶寬存儲(chǔ)器（hbm）中的定向刷新管理（drfm）地址捕獲。、當(dāng)今的許多工作負(fù)載和應(yīng)用（諸如ai、數(shù)據(jù)分析、視頻轉(zhuǎn)碼和基因組分析）需要增加的存儲(chǔ)器帶寬量。傳統(tǒng)的雙倍數(shù)據(jù)速率（ddr）存儲(chǔ)器解決方案已經(jīng)無(wú)法跟上不斷增長(zhǎng)的計(jì)算并且存儲(chǔ)器帶寬密集型工作負(fù)載正在成為數(shù)據(jù)移動(dòng)和...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)，尤其涉及用于高速存儲(chǔ)設(shè)備成批測(cè)試的高低溫測(cè)試治具、系統(tǒng)及設(shè)備。、隨著存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展，存儲(chǔ)設(shè)備的傳輸速率越來(lái)越高，例如pcie?gen/pclegen/ddr等存儲(chǔ)設(shè)備，而高速存儲(chǔ)設(shè)備在高低溫下滿(mǎn)速運(yùn)行的穩(wěn)定性、可靠性是存儲(chǔ)設(shè)備的關(guān)鍵指標(biāo)之一。在此前提下，用于高速存...

本發(fā)明涉及類(lèi)腦計(jì)算與憶阻電路，具體涉及一種模擬年齡相關(guān)聯(lián)想記憶抗干擾差異的憶阻電路。、現(xiàn)有聯(lián)想記憶阻電路多聚焦于通過(guò)?ltp（長(zhǎng)時(shí)程增強(qiáng)）/ltd（長(zhǎng)時(shí)程抑制）平衡實(shí)現(xiàn)記憶的形成與衰退模擬，但其核心缺陷在于：.?忽略真實(shí)場(chǎng)景中的無(wú)關(guān)刺激干擾：現(xiàn)有電路僅針對(duì)?“條件刺激（如鈴聲）?非條件刺激...

本公開(kāi)涉及具有逐行寫(xiě)入輔助的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。、例如，隨著更大的管芯上緩存被采用，計(jì)算設(shè)備中對(duì)存儲(chǔ)器的需求不斷增長(zhǎng)，如在高性能處理器中。靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(sram)是支持這些工作負(fù)載并提供片上高密度存儲(chǔ)器的候選方案。然而，在滿(mǎn)足性能和可擴(kuò)展性目標(biāo)時(shí)遇到各種挑戰(zhàn)。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、根據(jù)本公開(kāi)...

本公開(kāi)的多種實(shí)施例涉及半導(dǎo)體設(shè)計(jì)技術(shù)，更具體地說(shuō)，涉及包括字線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的存儲(chǔ)裝置。、隨著存儲(chǔ)裝置的集成度的提高，存儲(chǔ)裝置中包含的多個(gè)字線(xiàn)中相鄰兩個(gè)字線(xiàn)之間的距離減小。隨著相鄰字線(xiàn)之間的距離減小，相鄰字線(xiàn)之間的耦合效應(yīng)增大。、每當(dāng)數(shù)據(jù)輸入和輸出到存儲(chǔ)單元時(shí)，字線(xiàn)在激活狀態(tài)和非激活狀態(tài)之間切換...

本公開(kāi)內(nèi)容涉及存儲(chǔ)器裝置及其操作方法。、閃存存儲(chǔ)器是可以被電擦除和重新編程的低成本、高密度、非易失性固態(tài)儲(chǔ)存介質(zhì)。閃存存儲(chǔ)器包括nor閃存存儲(chǔ)器和nand閃存存儲(chǔ)器。閃存存儲(chǔ)器可以執(zhí)行各種操作，例如讀取、編程(寫(xiě)入)和擦除。對(duì)于nand閃存存儲(chǔ)器，可以在塊級(jí)別上執(zhí)行擦除操作，并且可以在頁(yè)級(jí)...

本說(shuō)明書(shū)說(shuō)明存儲(chǔ)裝置等。注意，本發(fā)明的一個(gè)方式不局限于上述。作為本說(shuō)明書(shū)等所公開(kāi)的本發(fā)明的一個(gè)方式的的例子，可以舉出半導(dǎo)體裝置、攝像裝置、顯示裝置、發(fā)光裝置、蓄電裝置、存儲(chǔ)裝置、顯示系統(tǒng)、電子設(shè)備、照明裝置、輸入裝置、輸入輸出裝置、其驅(qū)動(dòng)方法或者其制造方法。、近年來(lái)，對(duì)全球變暖的措施的重要...

本申請(qǐng)實(shí)施例涉及存儲(chǔ)器測(cè)試領(lǐng)域，尤其涉及一種存儲(chǔ)芯片的錯(cuò)誤物理地址解碼邏輯推導(dǎo)方法、失效存儲(chǔ)顆粒定位方法、測(cè)試設(shè)備和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。、隨著計(jì)算系統(tǒng)對(duì)內(nèi)存容量和性能需求的不斷提升，存儲(chǔ)系統(tǒng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)日益復(fù)雜，多通道、多插槽（socket）、高密度的內(nèi)存模組已成為服務(wù)器、工作站及高性能計(jì)算平臺(tái)...

本發(fā)明涉及集成電路，尤其是指一種基于串行通信的mtp燒錄方法。、mtp（multiple-time?programmable，多次可編程）是一種多次可編程的非易失性存儲(chǔ)器（non-volatile?memory，nvm）類(lèi)型。傳統(tǒng)的mtp編程通常通過(guò)swd（serial?wiredebug...

本公開(kāi)涉及非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)，具體地涉及一種非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元。、隨著集成電路存儲(chǔ)技術(shù)向大容量、高集成、低功耗升級(jí)的趨勢(shì)下，數(shù)據(jù)吞吐量呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，對(duì)nvsram（non-volatile?static?random?access?memory，非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)）單...

本公開(kāi)涉及非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)，具體地涉及一種非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)裝置、電子設(shè)備及數(shù)據(jù)信號(hào)恢復(fù)方法。、隨著集成電路存儲(chǔ)技術(shù)向高可靠、低功耗、廣適配升級(jí)的過(guò)程中，基于nvm（non-volatile?memory，非易失性存儲(chǔ)器）的nvsram（non-volatile?static...

本發(fā)明涉及光盤(pán)存儲(chǔ)，尤其涉及一種提高取盤(pán)效率的方法及裝置。、現(xiàn)有的光盤(pán)存儲(chǔ)系統(tǒng)中，多張光盤(pán)通常摞在一起放在一個(gè)光盤(pán)匣中。在使用時(shí)，需要機(jī)械手進(jìn)行抓取，并放入光驅(qū)中進(jìn)行讀取。在完成讀取后需要把這張光盤(pán)放回到光盤(pán)匣中?；诠獗P(pán)存儲(chǔ)的基本要求，要求這張光盤(pán)放入它在光盤(pán)匣中原來(lái)的位置，這樣能夠在對(duì)...

本公開(kāi)內(nèi)容涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)和裝置。、隨著互聯(lián)網(wǎng)和各種關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用的快速增長(zhǎng)，保持?jǐn)?shù)據(jù)完整性和確保對(duì)關(guān)鍵信息的連續(xù)訪問(wèn)的重要性無(wú)比重要。為了滿(mǎn)足保存和訪問(wèn)可靠數(shù)據(jù)的需要，獨(dú)立磁盤(pán)冗余陣列（raid）算法已經(jīng)被用于改進(jìn)nand存儲(chǔ)器裝置中的性能、可靠性、功耗和可擴(kuò)展性。raid算法采用條帶化、...

本發(fā)明涉及集成電路設(shè)計(jì)與信息安全，特別涉及一種單次寫(xiě)入鎖定電路和方法。、在現(xiàn)代消費(fèi)類(lèi)電子芯片中，為了保證芯片的安全性和可追溯性，通常需要存儲(chǔ)一些固定的、不可被用戶(hù)修改的數(shù)據(jù)，例如芯片唯一的身份標(biāo)識(shí)chipid、廠商標(biāo)識(shí)vendorid、出廠配置信息、校驗(yàn)數(shù)據(jù)以及射頻或serdes模塊的校準(zhǔn)...

多種實(shí)施例總體而言涉及半導(dǎo)體電路，包括但不限于半導(dǎo)體裝置中的讀取操作。、半導(dǎo)體裝置包括多個(gè)單位存儲(chǔ)區(qū)域，諸如存儲(chǔ)體，其分布在多個(gè)存儲(chǔ)體組中以執(zhí)行讀取操作和寫(xiě)入操作。多個(gè)存儲(chǔ)體組根據(jù)預(yù)定的目標(biāo)操作標(biāo)準(zhǔn)(諸如時(shí)間間隔tccd(column?to?column?delay，列到列延遲))來(lái)執(zhí)行讀...

本申請(qǐng)涉及但不限于一種半導(dǎo)體器件及其操作方法、系統(tǒng)。、半導(dǎo)體器件，如與非型(not-and，nand)閃存器由于具有較高的存儲(chǔ)密度、可控的生產(chǎn)成本、合適的編擦速度及保持特性，已經(jīng)成為存儲(chǔ)市場(chǎng)中的主流產(chǎn)品。更多位的存儲(chǔ)和存算一體是閃存器的新技術(shù)方向。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的第一方面，...