背景技術(shù):
1、存儲(chǔ)器廣泛用于各種電子設(shè)備,諸如蜂窩電話、數(shù)字相機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理、醫(yī)療電子器件、移動(dòng)計(jì)算設(shè)備、非移動(dòng)計(jì)算設(shè)備和數(shù)據(jù)服務(wù)器。存儲(chǔ)器可以是非易失性存儲(chǔ)器或易失性存儲(chǔ)器。即使當(dāng)非易失性存儲(chǔ)器未連接至電源(例如,電池)時(shí),非易失性存儲(chǔ)器也允許存儲(chǔ)和保留信息。
2、非易失性存儲(chǔ)器的一個(gè)示例是磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(mram),與使用電子電荷存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的一些其他存儲(chǔ)器技術(shù)相比,該mram使用磁化來(lái)表示存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。一般來(lái)講,mram包括在半導(dǎo)體襯底上形成的大量磁性存儲(chǔ)器單元,其中每個(gè)存儲(chǔ)器單元都代表一個(gè)數(shù)據(jù)位。
3、通過(guò)改變存儲(chǔ)器單元內(nèi)的磁性元件的磁化方向?qū)?shù)據(jù)位寫(xiě)入存儲(chǔ)器單元,并且通過(guò)測(cè)量存儲(chǔ)器單元的電阻來(lái)讀取位(低電阻通常表示“0”位,并且高電阻通常表示“1”位)。如本文所用,磁化方向是磁矩的取向的方向。一些存儲(chǔ)器單元可包括選擇器器件,諸如雙向閾值開(kāi)關(guān)或其他選擇器器件。
4、雖然mram是一項(xiàng)很有前途的技術(shù),但仍存在許多設(shè)計(jì)和工藝挑戰(zhàn)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1.一種裝置,所述裝置包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述可逆電阻切換存儲(chǔ)器元件包括磁性存儲(chǔ)器元件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述可逆電阻切換存儲(chǔ)器元件包括磁性隧道結(jié)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述選擇器元件包括閾值選擇器器件。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述選擇器元件包括雙向閾值開(kāi)關(guān)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述選擇器元件包括閾值電壓,所述閾值電壓隨著時(shí)間以增加的速率漂移。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述選擇器元件可被選擇性地接通。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述第一脈沖、所述第二脈沖和所述第三脈沖均接通所述選擇器元件。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述控制電路還被配置為在所述第二脈沖之前執(zhí)行所述可逆電阻切換存儲(chǔ)器元件的第一次讀取和第二次讀取。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述控制電路還被配置為在所述第二脈沖之前執(zhí)行所述可逆電阻切換存儲(chǔ)器元件的破壞性讀取。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述第一脈沖包括reset脈沖,并且所述第二脈沖包括set脈沖。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述第三脈沖被配置為在不干擾所述可逆電阻切換存儲(chǔ)器元件的數(shù)據(jù)狀態(tài)的情況下接通所述選擇器元件。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述控制電路還被配置為在使用所述第二脈沖來(lái)第二次訪問(wèn)所述存儲(chǔ)器單元之后不到約100ns時(shí),使用所述第三脈沖來(lái)第三次訪問(wèn)所述存儲(chǔ)器單元。
14.一種裝置,所述裝置包括:
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置,其中,每個(gè)選擇器元件包括閾值選擇器器件。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置,其中,每個(gè)選擇器元件包括雙向閾值開(kāi)關(guān)。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置,其中,每個(gè)選擇器元件包括閾值電壓,所述閾值電壓隨著時(shí)間以增加的速率漂移。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置,其中,所述置位后脈沖被配置為減小所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元的誤碼率。
19.一種方法,所述方法包括:
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法,其中,所述磁性存儲(chǔ)器元件均包括磁性隧道結(jié)。