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用于管理選擇器器件閾值電壓漂移的裝置和方法與流程

文檔序號(hào):42293394發(fā)布日期:2025-06-27 18:28閱讀:11來(lái)源:國(guó)知局


背景技術(shù):

1、存儲(chǔ)器廣泛用于各種電子設(shè)備,諸如蜂窩電話、數(shù)字相機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理、醫(yī)療電子器件、移動(dòng)計(jì)算設(shè)備、非移動(dòng)計(jì)算設(shè)備和數(shù)據(jù)服務(wù)器。存儲(chǔ)器可以是非易失性存儲(chǔ)器或易失性存儲(chǔ)器。即使當(dāng)非易失性存儲(chǔ)器未連接至電源(例如,電池)時(shí),非易失性存儲(chǔ)器也允許存儲(chǔ)和保留信息。

2、非易失性存儲(chǔ)器的一個(gè)示例是磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(mram),與使用電子電荷存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的一些其他存儲(chǔ)器技術(shù)相比,該mram使用磁化來(lái)表示存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。一般來(lái)講,mram包括在半導(dǎo)體襯底上形成的大量磁性存儲(chǔ)器單元,其中每個(gè)存儲(chǔ)器單元都代表一個(gè)數(shù)據(jù)位。

3、通過(guò)改變存儲(chǔ)器單元內(nèi)的磁性元件的磁化方向?qū)?shù)據(jù)位寫(xiě)入存儲(chǔ)器單元,并且通過(guò)測(cè)量存儲(chǔ)器單元的電阻來(lái)讀取位(低電阻通常表示“0”位,并且高電阻通常表示“1”位)。如本文所用,磁化方向是磁矩的取向的方向。一些存儲(chǔ)器單元可包括選擇器器件,諸如雙向閾值開(kāi)關(guān)或其他選擇器器件。

4、雖然mram是一項(xiàng)很有前途的技術(shù),但仍存在許多設(shè)計(jì)和工藝挑戰(zhàn)。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路



技術(shù)特征:

1.一種裝置,所述裝置包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述可逆電阻切換存儲(chǔ)器元件包括磁性存儲(chǔ)器元件。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述可逆電阻切換存儲(chǔ)器元件包括磁性隧道結(jié)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述選擇器元件包括閾值選擇器器件。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述選擇器元件包括雙向閾值開(kāi)關(guān)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述選擇器元件包括閾值電壓,所述閾值電壓隨著時(shí)間以增加的速率漂移。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述選擇器元件可被選擇性地接通。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述第一脈沖、所述第二脈沖和所述第三脈沖均接通所述選擇器元件。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述控制電路還被配置為在所述第二脈沖之前執(zhí)行所述可逆電阻切換存儲(chǔ)器元件的第一次讀取和第二次讀取。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述控制電路還被配置為在所述第二脈沖之前執(zhí)行所述可逆電阻切換存儲(chǔ)器元件的破壞性讀取。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述第一脈沖包括reset脈沖,并且所述第二脈沖包括set脈沖。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述第三脈沖被配置為在不干擾所述可逆電阻切換存儲(chǔ)器元件的數(shù)據(jù)狀態(tài)的情況下接通所述選擇器元件。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述控制電路還被配置為在使用所述第二脈沖來(lái)第二次訪問(wèn)所述存儲(chǔ)器單元之后不到約100ns時(shí),使用所述第三脈沖來(lái)第三次訪問(wèn)所述存儲(chǔ)器單元。

14.一種裝置,所述裝置包括:

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置,其中,每個(gè)選擇器元件包括閾值選擇器器件。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置,其中,每個(gè)選擇器元件包括雙向閾值開(kāi)關(guān)。

17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置,其中,每個(gè)選擇器元件包括閾值電壓,所述閾值電壓隨著時(shí)間以增加的速率漂移。

18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置,其中,所述置位后脈沖被配置為減小所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元的誤碼率。

19.一種方法,所述方法包括:

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法,其中,所述磁性存儲(chǔ)器元件均包括磁性隧道結(jié)。


技術(shù)總結(jié)
提供了一種裝置,該裝置包括存儲(chǔ)器單元和耦合到該存儲(chǔ)器單元的控制電路。存儲(chǔ)器單元包括與選擇器元件串聯(lián)耦合的可逆電阻切換存儲(chǔ)器元件,該選擇器元件具有閾值電壓??刂齐娐繁慌渲脼槭褂镁哂械谝粯O性的第一脈沖來(lái)第一次訪問(wèn)存儲(chǔ)器單元,使用具有與第一極性相反的第二極性的第二脈沖來(lái)第二次訪問(wèn)存儲(chǔ)器單元,并且使用具有第一極性的第三脈沖來(lái)第三次訪問(wèn)存儲(chǔ)器單元。第三脈沖被配置為減小選擇器元件的閾值電壓漂移速率。

技術(shù)研發(fā)人員:J·P·薩恩茲,M·勞達(dá)托,K·D·波茲達(dá)格,M·林,M·N·A·特蘭,D·侯賽梅丁
受保護(hù)的技術(shù)使用者:閃迪技術(shù)公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/6/26
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