本公開涉及半導體領域，尤其涉及一種存儲器、位線控制方法和電子設備。
背景技術：
1、隨著半導體技術的發(fā)展，半導體存儲器被廣泛地應用于電子裝置中。動態(tài)隨機存取存儲器(dynamic?random?access?memory，dram)屬于一種揮發(fā)性存儲器，動態(tài)隨機存取存儲器因為存取速度快，常用來作為高速緩沖存儲器(cache)。
2、動態(tài)隨機存取存儲器主要包括外圍電路(periphery)和存儲陣列(core)兩部分，為了進一步提高存儲密度，三維dram(3d?dram)將外圍電路(periphery)和存儲陣列(core)分別設置在兩個獨立的芯片中，再將2個芯片通過鍵合的方式進行連接。然而，對于目前的3d?dram，其中存在嚴重的本地位線耦合問題(bl-to-bl?coupling)，從而造成感測裕度(sensing?margin)的損失。
技術實現(xiàn)思路
1、本公開實施例提供了一種存儲器、位線控制方法和電子設備。
2、本公開的技術方案是這樣實現(xiàn)的：
3、第一方面，本公開提供了一種存儲器，存儲器包括第一芯片，第一芯片包括多個存儲陣列片，且每一存儲陣列片均包括沿第三方向依次堆疊的多個存儲層組；每一存儲層組中具有沿第一方向延伸的多個本地位線，多個本地位線沿第二方向依次排列；每一存儲層組的第一側具有第一公共位線，每一存儲層組的第二側具有第二公共位線，第一側和第二側沿第一方向相對，第一方向和第二方向相交，第三方向垂直于第一方向且垂直于第二方向；每一存儲層組中還包括多個位線選擇器和多個預充開關；沿第三方向對多個存儲層組進行編號：在奇編號的存儲層組中，每一本地位線經(jīng)由各自的位線選擇器耦接至各自的第一公共位線，每一本地位線經(jīng)由各自的預充開關耦接至各自的第二公共位線；在偶編號的存儲層組中，每一本地位線經(jīng)由各自的預充開關耦接至各自的第一公共位線，每一本地位線經(jīng)由各自的位線選擇器耦接至各自的第二公共位線。
4、在一些實施例中，第一公共位線的第一側還設置有第一臺階接觸結構，第二公共位線的第二側還設置有第二臺階接觸結構，第一臺階接觸結構和第二臺階接觸結構均連接至感測放大區(qū)域；奇編號的存儲層組的第一公共位線連接至第一臺階接觸結構，偶編號的存儲層組的第二公共位線連接至第二臺階接觸結構。
5、在一些實施例中，第一臺階接觸結構和第二臺階接觸結構均包括多級臺階，奇編號的存儲層組的每一第一公共位線經(jīng)由第一臺階接觸結構的一個臺階耦接至感測放大區(qū)域中的一個感測放大器；偶編號的存儲層組的每一第二公共位線經(jīng)由第二臺階接觸結構的一個臺階耦接至感測放大區(qū)域中的一個感測放大器。
6、在一些實施例中，對于第一臺階接觸結構，連續(xù)的若干級臺階形成一個臺階組，且多個臺階組沿第二方向間隔排列；對于第二臺階接觸結構，連續(xù)的若干級臺階形成一個臺階組，且多個臺階組沿第二方向間隔排列。
7、在一些實施例中，存儲器還包括第二芯片，第一芯片與第二芯片沿第三方向堆疊，且第一芯片與第二芯片鍵合連接；感測放大區(qū)域位于第二芯片。
8、在一些實施例中，每一存儲陣列片還包括多個本地字線，且每一本地字線沿第三方向貫穿多個存儲層組。
9、在一些實施例中，存儲器還包括沿第二方向延伸的多個公共字線，且沿第二方向對齊的多個本地字線耦接至同一公共字線。
10、在一些實施例中，存儲層組還包括多個存儲單元，且每一存儲單元均分別連接到一個本地位線和一個本地字線；
11、存儲器，配置為在讀操作或寫操作的過程中，對于被選中的存儲單元，控制其連接的本地位線的位線選擇器處于接通狀態(tài)，且控制其連接的本地位線的預充開關處于斷開狀態(tài)；對于未被選中的存儲單元，控制其連接的本地位線的位線選擇器處于斷開狀態(tài)，且控制其連接的本地位線的預充開關處于接通狀態(tài)。
12、在一些實施例中，在奇編號的存儲層組中，每一預充開關位于對應的本地位線的第三側，每一位線選擇器位于對應的本地位線的第四側；第三側和第四側沿第二方向相對；
13、在偶編號的存儲層組中，每一預充開關位于對應的本地位線的第四側，每一位線選擇器位于對應的本地位線的第三側。
14、在一些實施例中，位線選擇器和預充開關均為cmos開關。
15、第二方面，本公開實施例提供了一種位線控制方法，應用于如第一方面存儲器，該方法包括：
16、基于地址信號，在目標存儲陣列片中選中沿第三方向對齊的多個本地位線；
17、在奇編號的存儲層組中，控制被選中的本地位線與所屬存儲層組的第一公共位線電接通，且控制未被選中的本地位線與所屬存儲層組的第二公共位線電接通；以及，在偶編號的存儲層組中，控制被選中的本地位線與所屬存儲層組的第二公共位線電接通，且控制未被選中的本地位線與所屬存儲層組的第一公共位線電接通。
18、在一些實施例中，方法還包括：
19、控制被選中的本地位線的位線選擇器為接通狀態(tài)，且被選中的本地位線的預充開關為關斷狀態(tài)，以使得奇編號的存儲層中被選中的本地位線與第一公共位線電接通，偶編號的存儲層中被選中的本地位線與第二公共位線電接通；
20、控制未被選中的本地位線的位線選擇器為關斷狀態(tài)，且未被選中的本地位線的預充開關為接通狀態(tài)，以使得奇編號的存儲層中未被選中的本地位線與第二公共位線電接通，偶編號的存儲層中未被選中的本地位線與第一公共位線電接通。
21、在一些實施例中，方法還包括：對于奇編號的存儲層組，控制第二公共位線的電位為預充電電位；以及，通過電荷分享及感測放大處理使第一公共位線的電位為低電位或高電位；對于偶編號的存儲層組，控制第一公共位線的電位為預充電電位；以及，通過電荷分享及感測放大處理使第二公共位線的電位為低電位或高電位；其中，低電位＜預充電電位＜高電平。
22、第三方面，本公開實施例提供了一種電子設備，所述電子設備包括如第一方面所述的存儲器。
23、本公開實施例提供了一種存儲器、位線控制方法和電子設備，對于奇編號的存儲層組，其中本地位線通過位線選擇器連接到第一公共位線，且通過預充開關連接到第二公共位線；對于偶編號的存儲層組，其中本地位線通過位線選擇器連接到第二公共位線，且通過預充開關連接到第一公共位線，同時所有的第一公共位線在垂直于所述存儲層組的方向上依次排列，所有的第二公共位線在垂直于所述存儲層組的方向上排列；這樣，在感測放大處理的過程中，對于在第三方向上相鄰的兩個第一公共位線，必然一個第一公共位線處于感測放大狀態(tài)(高電位或低電位)，另一第一公共位線處于預充電電位；對于在第三方向上相鄰的兩個第二公共位線，必然一個第二公共位線處于感測放大狀態(tài)(高電位或低電位)，另一第二公共位線處于預充電電位，相鄰公共位線的耦合情況明顯減弱，提高感測放大裕度。
1.一種存儲器，其特征在于，所述存儲器包括第一芯片，所述第一芯片包括多個存儲陣列片，且每一所述存儲陣列片均包括沿第三方向依次堆疊的多個存儲層組；每一所述存儲層組中具有沿第一方向延伸的多個本地位線，多個所述本地位線沿第二方向依次排列；每一所述存儲層組的第一側具有第一公共位線，每一所述存儲層組的第二側具有第二公共位線，所述第一側和所述第二側沿第一方向相對，所述第一方向和所述第二方向相交，所述第三方向垂直于所述第一方向且垂直于所述第二方向；
2.根據(jù)權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述第一公共位線的第一側還設置有第一臺階接觸結構，所述第二公共位線的第二側還設置有第二臺階接觸結構，所述第一臺階接觸結構和所述第二臺階接觸結構均連接至感測放大區(qū)域；
3.根據(jù)權利要求2所述的存儲器，其特征在于，
4.根據(jù)權利要求2所述的存儲器，其特征在于，
5.根據(jù)權利要求2所述的存儲器，其特征在于，所述存儲器還包括第二芯片，所述第一芯片與所述第二芯片沿第三方向堆疊，且所述第一芯片與所述第二芯片鍵合連接；
6.根據(jù)權利要求5所述的存儲器，其特征在于，
7.根據(jù)權利要求6所述的存儲器，其特征在于，所述存儲器還包括沿第二方向延伸的多個公共字線，且沿第二方向對齊的多個所述本地字線耦接至同一所述公共字線。
8.根據(jù)權利要求7所述的存儲器，其特征在于，所述存儲層組還包括多個存儲單元，且每一存儲單元均分別連接到一個所述本地位線和一個所述本地字線；
9.根據(jù)權利要求1-8任一項所述的存儲器，其特征在于，
10.根據(jù)權利要求9所述的存儲器，其特征在于，
11.一種位線控制方法，其特征在于，應用于如權利要求1-10任一項所述存儲器，該方法包括：
12.根據(jù)權利要求11所述的位線控制方法，其特征在于，所述方法還包括：
13.根據(jù)權利要求11所述的位線控制方法，其特征在于，所述方法還包括：
14.一種電子設備，其特征在于，所述電子設備包括如權利要求1-10任一項所述的存儲器。