本發(fā)明涉及半導體，具體涉及一種抗eos高性能led外延結(jié)構(gòu)及其制備方法。
背景技術：
1、led器件在實際應用中易受電過應力（eos）損傷，導致漏電增大、光效下降甚至永久失效。傳統(tǒng)解決方案通常通過優(yōu)化電極結(jié)構(gòu)、增加保護電路或改進材料摻雜工藝來緩解eos問題，但這些方法存在工藝復雜、成本高或效果有限的不足。
2、現(xiàn)有l(wèi)ed外延結(jié)構(gòu)通常由襯底、緩沖層、ngan層、mqw有源層
3、和pgan層組成（如圖1所示）。鮮有針對eos性能的提升的研究。
4、傳統(tǒng)的led外延結(jié)構(gòu)缺乏有效的電流限制機制，難以抑制瞬態(tài)電流峰值?，F(xiàn)有的電流限制層設計（如高阻gan層）往往會導致器件電阻增加，影響發(fā)光效率，缺乏對熱管理和電流均勻性的綜合考慮，導致器件可靠性不足。
技術實現(xiàn)思路
1、針對現(xiàn)有技術不足，本發(fā)明提出了一種抗eos高性能led外延結(jié)構(gòu)及其制備方法，以提升抗eos能力。
2、為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術方案：
3、一種抗eos高性能led外延結(jié)構(gòu)，包括襯底，在襯底上依次生長緩沖層、非摻雜ugan層、高阻sic過渡層、n型gan層；sic/aln/algan超晶格層、多量子阱有源層、p型algan層、p型gan層。
4、優(yōu)選地，所述襯底為藍寶石、sic或si。
5、優(yōu)選地，所述緩沖層為低溫aln或gan。
6、優(yōu)選地，所述高阻sic過渡層厚度15?nm。
7、優(yōu)選地，所述超晶格層中sic層厚度1-5?nm、aln層厚度1-3?nm、algan層厚度3-10nm；超晶格層總厚度：50-300?nm。
8、進一步地，所述sic/aln/algan超晶格層周期數(shù)為5-30周期。
9、優(yōu)選地，所述sic/aln/algan超晶格層周期數(shù)為10-20周期。
10、一種抗eos高性能led外延結(jié)構(gòu)制備方法，具體包括以下步驟：
11、步驟一：提供襯底；
12、步驟二：在襯底上依次生長緩沖層、非摻雜ugan層；
13、步驟三：在非摻雜ugan層上生長高阻sic過渡層；生長溫度控制為800-1000℃，壓力200-500?torr，摻雜濃度：sic層摻雜碳或硅，濃度1e18-5e19?cm?3；
14、步驟四：在高阻sic過渡層上生長n型gan層；
15、步驟五：在n型gan層上生長sic/aln/algan超晶格層；sic層摻雜碳或硅，濃度1e18-5e19?cm?3；algan層摻硅或鎂，濃度5e17-1e19?cm?3；生長溫度控制為900-1100℃，壓力200-500?torr；通過調(diào)節(jié)al源、ga源、nh3及sih4流量實現(xiàn)各層組分精確控制；
16、步驟六：在sic/aln/algan超晶格層上依次生長多量子阱有源層、p型algan層、p型gan層。
17、與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有如下有益效果：
18、本發(fā)明在ngan層下方插入高阻sic過渡層，在電流路徑中引入高阻區(qū)域，從而限制電流峰值；在mqw層下方插入sic/aln/algan超晶格層，通過超晶格結(jié)構(gòu)的應力緩沖效應和界面優(yōu)化特性，有效抑制瞬態(tài)電流峰值，提高電流分布的均勻性，顯著提升led的抗eos能力，同時降低缺陷密度，改善器件可靠性。
1.一種抗eos高性能led外延結(jié)構(gòu)，包括襯底，其特征在于：在襯底上依次生長緩沖層、非摻雜ugan層、高阻sic過渡層、n型gan層；sic/aln/algan超晶格層、多量子阱有源層、p型algan層、p型gan層。
2.如權利要求1所述的一種抗eos高性能led外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述襯底為藍寶石、sic或si。
3.如權利要求1所述的一種抗eos高性能led外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述緩沖層為低溫aln或gan。
4.如權利要求1所述的一種抗eos高性能led外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述高阻sic過渡層厚度15?nm。
5.如權利要求1或4所述的一種抗eos高性能led外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述超晶格層中sic層厚度1-5?nm、aln層厚度1-3?nm、algan層厚度3-10?nm；超晶格層總厚度：50-300nm。
6.如權利要求5所述的一種抗eos高性能led外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述sic/aln/algan超晶格層周期數(shù)為5-30周期。
7.如權利要求6所述的一種抗eos高性能led外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述sic/aln/algan超晶格層周期數(shù)為10-20周期。
8.一種抗eos高性能led外延結(jié)構(gòu)制備方法，具體包括以下步驟：