本申請涉及顯示，尤其涉及一種發(fā)光器件、所述發(fā)光器件的制備方法、及包括所述發(fā)光器件的顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、目前廣泛使用的發(fā)光器件為有機發(fā)光二極管(oled)和量子點發(fā)光二極管(qled)。oled由于具有自發(fā)光、結(jié)構(gòu)簡單、超輕薄、響應速度快、寬視角、低功耗、可柔性顯示等十分優(yōu)異的顯示性能，已成為顯示技術(shù)領(lǐng)域中的主流技術(shù)。qled具有出射光顏色飽和以及波長可調(diào)的優(yōu)點，而且光致、電致發(fā)光量子產(chǎn)率高，近年來成了oled的有力競爭者。

2、傳統(tǒng)的oled和qled器件結(jié)構(gòu)一般包括陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。在電場的作用下，發(fā)光二極管的陽極產(chǎn)生的空穴和陰極產(chǎn)生的電子發(fā)生移動，分別向空穴傳輸層和電子傳輸層注入，最終遷移到發(fā)光層，當二者在發(fā)光層相遇時，產(chǎn)生能量激子，從而激發(fā)發(fā)光分子最終產(chǎn)生可見光。

3、目前，發(fā)光器件的發(fā)光效率較低，有待進一步改善。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本申請?zhí)峁┮环N發(fā)光器件，旨在改善現(xiàn)有發(fā)光器件的發(fā)光效率較低的問題。

2、本申請實施例是這樣實現(xiàn)的，一種發(fā)光器件，包括層疊設(shè)置的第一電極、修飾層、發(fā)光層及第二電極；其中，所述修飾層的材料包括化合物a，所述化合物a具有如式(ⅰ)所示的結(jié)構(gòu)式：

3、

4、其中，所述l和所述r1各自獨立地選自單鍵、-o-、-s-、-co-、-co-o-、-o-co-、-o-co-o-、-ch＝n-、-n＝ch-、-n＝n-、-nh-、-nh-co-、-ch2-、c,-c,,的亞烷基或c,-c,的鏈烯基，所述c,-c,,的亞烷基或c,-c,,的鏈烯基中的至少一個氫原子被f、cl或cn取代；所述c,-c,,的亞烷基或c,-c,的鏈烯基中的至少一個-ch,-或至少兩個不相鄰的-ch,-被-o-、-s-、-nh-、-co-、-coo-、-oco-、-ocoo-、-sco-或-cos-以不相互直接相連的方式取代；

5、所述r2、所述r3和所述r4各自獨立地選自氫、氘、氨基、鹵素、羥基、羧基、硝基、磺酸基、醛基、巰基、氰基；未取代或被氨基、鹵素、羥基、羧基、硝基、磺酸基、醛基、巰基、氰基取代的c1～c20的鏈烴基、c1～c20的鏈烴氧基、環(huán)原子數(shù)為3至60的環(huán)烴基、環(huán)原子數(shù)為3至60的雜環(huán)烴基、環(huán)原子數(shù)為5至60的芳基、環(huán)原子數(shù)為5至60的雜芳基、環(huán)原子數(shù)為5至60的芳氧基、環(huán)原子數(shù)為5至60的雜芳氧基中的一種或多種的組合，其中雜芳基或雜芳氧基中的雜原子為n、s、o、p、si，雜原子個數(shù)為1～20；

6、所述ar選自取代或未被取代的芳基、取代或未被取代的雜芳基、或者其組合。

7、相應地，本申請實施例還提供一種發(fā)光器件的制備方法，包括：

8、提供發(fā)光器件預制體，所述發(fā)光器件預制體包括第一電極；

9、提供上述的發(fā)光器件中的化合物a，將所述化合物a設(shè)置在所述發(fā)光器件預制體上，形成修飾層；

10、在所述修飾層上形成發(fā)光層和第二電極，得到發(fā)光器件；

11、或者，

12、提供發(fā)光器件預制件，所述發(fā)光器件預制件包括層疊的第二電極和發(fā)光層；

13、提供化合物a，將所述化合物a設(shè)置在所述發(fā)光器件預制件上，形成修飾層；

14、在所述修飾層上形成第一電極，得到發(fā)光器件。

15、相應地，本申請實施例還提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述發(fā)光器件，或者上述制備方法制得的發(fā)光器件。

16、本申請?zhí)峁┑陌l(fā)光器件，通過增設(shè)修飾層可提高發(fā)光器件的發(fā)光效率。

技術(shù)特征：

1.一種發(fā)光器件，其特征在于，包括層疊設(shè)置的第一電極、修飾層、發(fā)光層及第二電極；其中，所述修飾層的材料包括化合物a，所述化合物a具有如式(ⅰ)所示的結(jié)構(gòu)式：

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述修飾層的材料包括對乙酰氨基酚酮衍生物，所述對乙酰氨基酚酮衍生物的結(jié)構(gòu)式如式(ⅱ)所示：

3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其特征在于，

4.如權(quán)利要求1至3任一項所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述化合物a包括如下結(jié)構(gòu)式所示的化合物中的至少一種：

5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光器件還包括空穴功能層、電子功能層中的一種或幾種；

6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，其特征在于，

7.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，其特征在于，

8.一種發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括：

9.如權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述形成修飾層的方法包括：

10.如權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，

11.如權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，

12.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至7任一項所述的發(fā)光器件，或者包括如權(quán)利要求8至11任一項所述制備方法制得的發(fā)光器件。

技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種發(fā)光器件及其制備方法、顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。發(fā)光器件包括層疊設(shè)置的第一電極、修飾層、發(fā)光層及第二電極；其中，所述修飾層的材料包括化合物A，化合物A具有如式(Ⅰ)所示的結(jié)構(gòu)式：本申請所述的發(fā)光器件，可提高發(fā)光器件的發(fā)光效率。

技術(shù)研發(fā)人員：夏思雨
受保護的技術(shù)使用者：TCL科技集團股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/6/26