本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著光學(xué)技術(shù)和半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，以液晶顯示器(liquidcrystaldisplay，lcd)為代表的平板顯示器具有輕薄、能耗低、反應(yīng)速度快、色純度佳、以及對(duì)比度高等特點(diǎn)，在顯示領(lǐng)域占據(jù)了主導(dǎo)地位。近些年來顯示裝置呈現(xiàn)出了高集成度以及低成本的發(fā)展趨勢(shì)。以陣列基板行驅(qū)動(dòng)(gatedriveronarray，goa)技術(shù)為代表，利用goa技術(shù)將柵極驅(qū)動(dòng)電路集成于陣列基板的周邊區(qū)域，可在實(shí)現(xiàn)窄邊框設(shè)計(jì)的同時(shí)，有效的提升模組工藝產(chǎn)量、提升產(chǎn)品良率、以及節(jié)約成本。

goa結(jié)構(gòu)的信號(hào)引線都是從顯示面板的dp(datapad，數(shù)據(jù)線焊盤)側(cè)引出來的。在點(diǎn)燈測(cè)試(et測(cè)試)過程中，為了利用外加信號(hào)點(diǎn)亮顯示面板，可以通過itopad(indiumtinoxidepad，氧化銦錫焊盤)向goa結(jié)構(gòu)的信號(hào)線提供測(cè)試信號(hào)，該itopad即為etpad(點(diǎn)燈焊盤)。圖1所示為現(xiàn)有itopad的平面圖以及a-a方向剖視圖，其結(jié)構(gòu)例如可以包括依次設(shè)置在襯底101上方的信號(hào)線20、絕緣層102、以及ito103，且ito103通過過孔與信號(hào)線20電連接。由于ito103裸露在外，因此在模組狀態(tài)下，信號(hào)線20會(huì)通過etpad向外產(chǎn)生電磁輻射。如果touch(觸控)觸碰點(diǎn)信號(hào)走線的位置與etpad的輻射位置接近或者重疊，那么就會(huì)產(chǎn)生電磁耦合，從而導(dǎo)致觸控信號(hào)報(bào)錯(cuò)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提供一種陣列基板及顯示裝置，用以對(duì)陣列基板進(jìn)行點(diǎn)燈測(cè)試。

解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板，包括基底，位于所述基底上、用于為信號(hào)線提供檢測(cè)信號(hào)的檢測(cè)組件；所述檢測(cè)組件包括：檢測(cè)焊盤和底柵型晶體管；其中，

檢測(cè)焊盤，用于接收所述檢測(cè)信號(hào)；

所述底柵型晶體管的第一極連接所述檢測(cè)焊盤，第二極連接所述信號(hào)線，控制極連接控制信號(hào)端。

進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述檢測(cè)焊盤包括依次設(shè)置在所述基底上方的第一電極、第一層間絕緣層、第二電極；所述第二電極通過貫穿所述第一層間絕緣層的第一過孔與所述第一電極連接；其中，

所述第一電極還與所述底柵型晶體管的第一極連接；所述第二電極用于接收所述檢測(cè)信號(hào)。

進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述檢測(cè)組件還包括連接單元；所述連接單元包括依次設(shè)置在所述基底上方的第三電極、第二層間絕緣層、第四電極；所述第四電極通過貫穿所述第二層間絕緣層的第二過孔與所述第三電極連接；其中，

所述第三電極還與所述底柵型晶體管的第電極連接；所述第四電極還與所述信號(hào)線連接。

進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述第一電極、所述第三電極、與所述底柵型晶體管的第一極和第二極同層設(shè)置且材料相同。

進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述第四電極與所述第二電極材料相同。

進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述第一電極和所述第三電極的材料為氧化銦錫。

進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述第一層間絕緣層和所述第二層間絕緣層同層設(shè)置，且材料相同。

進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述信號(hào)線與所述底柵型晶體管的控制極同層設(shè)置，且材料相同。

解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種顯示裝置，其包括上述的陣列基板。

本發(fā)明具有如下有益效果：

由于在本發(fā)明的陣列基板的檢測(cè)組件中增設(shè)了底柵型晶體管，因此，在需要對(duì)陣列基板進(jìn)行點(diǎn)燈測(cè)試時(shí)，可通過控制信號(hào)控制底柵型晶體管打開，以使信號(hào)線與檢測(cè)焊盤連通，從而方便于進(jìn)行點(diǎn)燈測(cè)試；而且，在完成點(diǎn)燈測(cè)試之后，可以通過控制信號(hào)控制底柵型晶體管關(guān)閉，以使信號(hào)線與檢測(cè)焊盤斷開，從而可避免信號(hào)線通過檢測(cè)焊盤進(jìn)行電磁輻射而對(duì)其它信號(hào)產(chǎn)生電磁干擾。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有的測(cè)試結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖2為本發(fā)明的實(shí)施例1的陣列基板的示意圖；

圖3為圖2的a-a剖視圖。

具體實(shí)施方式

為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

實(shí)施例1：

如圖2所示，本實(shí)施例提供一種陣列基板，包括基底101，位于所述基底101上、用于為信號(hào)線20提供檢測(cè)信號(hào)的檢測(cè)組件；檢測(cè)組件包括：檢測(cè)焊盤10和底柵型晶體管30；其中，檢測(cè)焊盤10用于接收所述檢測(cè)信號(hào)；底柵型晶體管30的第一極連接檢測(cè)焊盤10，第二極連接信號(hào)線20，控制極連接控制信號(hào)端(圖中未示)。該底柵型晶體管30用于在控制信號(hào)端所輸入的控制信號(hào)的控制下，開啟或關(guān)斷，以控制所述檢測(cè)焊盤10與所述信號(hào)線20之間是否導(dǎo)通。

在此需要說明的是，檢測(cè)組件位于陣列基板的扇出區(qū)，也即非顯示區(qū)的。本實(shí)施例中的信號(hào)線20可以是將柵極驅(qū)動(dòng)電路與陣列基板顯示區(qū)中的柵線連接的連接線，此時(shí)柵極驅(qū)動(dòng)電路也可以設(shè)置在陣列基板(即，gateonarray)。

由于在本實(shí)施例的陣列基板的檢測(cè)組件中增設(shè)了底柵型晶體管30，因此，在需要對(duì)陣列基板進(jìn)行點(diǎn)燈測(cè)試時(shí)，可通過控制信號(hào)控制底柵型晶體管30打開，以使信號(hào)線20與檢測(cè)焊盤10連通，從而方便于進(jìn)行點(diǎn)燈測(cè)試；而且，在完成點(diǎn)燈測(cè)試之后，可以通過控制信號(hào)控制底柵型晶體管30關(guān)閉，以使信號(hào)線20與檢測(cè)焊盤10斷開，從而可避免信號(hào)線20通過檢測(cè)焊盤10進(jìn)行電磁輻射而對(duì)其它信號(hào)產(chǎn)生電磁干擾。

具體的，本實(shí)施例中的所采用的晶體管可以為薄膜晶體管或場(chǎng)效應(yīng)管或其他特性的相同器件，由于采用的晶體管的源極和漏極在一定條件下是可以互換的，所以其源極、漏極從連接關(guān)系的描述上是沒有區(qū)別的。在本實(shí)施例中，為區(qū)分晶體管的源極和漏極，將其中一極稱為第一極，另一極稱為第二極，柵極稱為控制極。此外按照晶體管的特性區(qū)分可以將晶體管分為n型和p型，本實(shí)施例中是以晶體管為p型晶體管進(jìn)行說明的。當(dāng)采用p型晶體管時(shí)，第一極為p型晶體管的源極，第二極為p型晶體管的漏極，柵極輸入低電平時(shí)，源漏極導(dǎo)通，n型相反?？梢韵氲降氖遣捎镁w管為n型晶體管實(shí)現(xiàn)是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在沒有付出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下輕易想到的，因此也是在本實(shí)施例的保護(hù)范圍內(nèi)的。

由于底柵型晶體管30采用p型晶體管，因此，在點(diǎn)燈測(cè)試時(shí)，給控制信號(hào)端所輸入低電平信號(hào)，底柵型晶體管30打開，檢測(cè)焊盤10所接收的檢測(cè)信號(hào)通過底柵型晶體管30、信號(hào)線20引入陣列基板的顯示區(qū)的像素單元中，以完成點(diǎn)燈測(cè)試。在顯示階段，則給控制信號(hào)端所輸入高電平信號(hào)，底柵型晶體管30關(guān)斷，此時(shí)通過信號(hào)線20給陣列基板的顯示區(qū)的像素單元寫入驅(qū)動(dòng)信號(hào)，而由于底柵型晶體管30關(guān)斷，信號(hào)線20與檢測(cè)焊盤10斷開，從而可避免信號(hào)線20通過檢測(cè)焊盤10進(jìn)行電磁輻射而對(duì)其它信號(hào)產(chǎn)生電磁干擾。

其中，本實(shí)施例中的底柵型晶體管30采用底柵型薄膜晶體管。具體的，該底柵型晶體管30包括：依次設(shè)置在基底101上的柵極31、絕緣層32、有源層33、平坦化層、同層設(shè)置的源極34和漏極35。

作為本實(shí)施例中一種優(yōu)選實(shí)現(xiàn)方式，檢測(cè)焊盤10包括依次設(shè)置在所述基底101上方的第一電極11、第一層間絕緣層13、第二電極12；所述第二電極12通過貫穿所述第一層間絕緣層13的第一過孔與所述第一電極11連接；其中，第一電極11還與所述底柵型晶體管30的源極34連接；所述第二電極12用于接收所述檢測(cè)信號(hào)。如圖3所示，優(yōu)選的檢測(cè)焊盤10的第一電極11與底柵型晶體管30的源極34和漏極35是同一次構(gòu)圖工藝形成的，且材料相同的，可選地，均為金屬。

同樣如圖3所示，本實(shí)施例中的陣列基板的檢測(cè)組件還包括連接單元；連接單元包括第三電極41、第二層間絕緣層43、第四電極42；第四電極42通過貫穿第二層間絕緣層的第二過孔與第三電極41連接；其中，第三電極41還與底柵型晶體管的漏極35連接；第四電極42還與信號(hào)線20連接。優(yōu)選的，第三電極41與檢測(cè)焊盤10的第一電極11，以及底柵型晶體管30的源極34和漏極35同層設(shè)置且材料相同。所述第四電極42與檢測(cè)焊盤10的第二電極12同層設(shè)置且材料相同。第一層間絕緣層13和第二層間絕緣層43同層設(shè)置，且材料相同，也即第一層間絕緣層13和第二層間絕緣層43為同一層結(jié)構(gòu)。信號(hào)線20與底柵型晶體管30的柵極31與所述信號(hào)線20同層設(shè)置，且材料相同，可選地，均為金屬。

為了更清楚本實(shí)施例的陣列基板的檢測(cè)組件的結(jié)構(gòu)，通過以下陣列基板的制備方法對(duì)上述結(jié)構(gòu)進(jìn)一步的說明。

步驟一、在基底101上，通過一次構(gòu)圖工藝形成包括信號(hào)線20和底柵型晶體管30的柵極31的圖形。

步驟二、在完成步驟一的基底101上，形成絕緣層32。

步驟三、在完成步驟二的基底101上，通過構(gòu)圖工藝形成包括底柵型晶體管30的有源層33的圖形。

步驟四、在完成步驟三的基底101上，形成平坦化層。

步驟五、在完成步驟四的基底101上，通過一次構(gòu)圖工藝形成包括檢測(cè)焊盤10的第一極、底柵型晶體管30的源極34、漏極35，以及連接單元的第三電極41的圖形；其中，檢測(cè)焊盤10的第一極與底柵型晶體管30的源極34連接；連接單元的第三電極41與底柵型晶體管30的漏極35連接。

步驟六、在完成步驟五的基底101上，形成層間絕緣層并在第一電極11對(duì)應(yīng)的位置刻蝕第一過孔，在第三電極41對(duì)應(yīng)的位置刻蝕第二過孔。

步驟七、在完成步驟六的基底101上，通過一次構(gòu)圖工藝形成包括檢測(cè)焊盤10的第二電極12和連接單元的第四電極42的圖形；其中，檢測(cè)焊盤10的第二電極12通過第一過孔與第一電極11連接，連接單元的第四電極42通過第二過孔與第三電極41連接，同時(shí)第四電極42還與信號(hào)線20連接；檢測(cè)焊盤10的第二電極12和連接單元的第四電極42的材料優(yōu)選為氧化銦錫。

至此完成陣列基板的檢測(cè)組件的制備。

實(shí)施例2：

本實(shí)施例提供一種顯示裝置，其包括實(shí)施例1中的陣列基板。該顯示面板可以包括顯示區(qū)域和周邊區(qū)域，該陣列基板可以為goa基板；其中，該顯示裝置的顯示區(qū)域?qū)?yīng)陣列基板的顯示區(qū)，該顯示面板的周邊區(qū)域?qū)?yīng)陣列基板的扇出區(qū)，即設(shè)置柵極31驅(qū)動(dòng)電路的部分。

本實(shí)施例可以利用goa技術(shù)將柵極31驅(qū)動(dòng)電路集成于顯示面板的周邊，從而在實(shí)現(xiàn)窄邊框面板設(shè)計(jì)的同時(shí)，還可有效降低顯示面板的制造成本、提升顯示模組的工藝產(chǎn)量。在此基礎(chǔ)上，該顯示面板還可以有效的屏蔽電磁干擾，設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單且無需額外增加耗材。

進(jìn)一步的，所述顯示裝置還可以為具有觸控功能的觸控面板，該觸控面板可避免信號(hào)線20通過etpad向外產(chǎn)生電磁輻射，從而保證touch信號(hào)的準(zhǔn)確性。

需要說明的是，所述顯示裝置中的具體細(xì)節(jié)已經(jīng)在對(duì)應(yīng)的陣列基板中進(jìn)行了詳細(xì)描述，這里不再贅述。

其中，所述顯示裝置例如可以包括手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件，本公開對(duì)此不進(jìn)行特殊限定。

可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。