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電氣元件制品的制造及其應(yīng)用技術(shù)
  • 一種石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法與流程
    一種石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法本發(fā)明屬于場(chǎng)效應(yīng)晶體管制造,具體涉及一種石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法。自2004年石墨烯被成功研制以來(lái),石墨烯電子器件取得了巨大發(fā)展?;谑┑碾娮訉W(xué)具有尺寸小、速度快、功耗低、工藝簡(jiǎn)單等特點(diǎn),受到人們?cè)絹?lái)越廣泛的關(guān)注,石墨烯有望取代硅...
  • 一種鍍錫銅包黃銅線及其生產(chǎn)方法和鍍錫設(shè)備與流程
    一種鍍錫銅包黃銅線及其生產(chǎn)方法和鍍錫設(shè)備本發(fā)明涉及一種鍍錫銅包黃銅線及其生產(chǎn)方法和該生產(chǎn)過(guò)程中采用的鍍錫設(shè)備,屬于電線電纜領(lǐng)域。金屬導(dǎo)體是電線電纜的重要組成部分,但金屬材料種類很多,性能差異很大。而電線電纜對(duì)金屬導(dǎo)體在導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性、延展性、抗拉性等要求很高,而銅是電線電纜行業(yè)的重...
  • CMOS圖像傳感器結(jié)構(gòu)的制作方法
    CMOS圖像傳感器結(jié)構(gòu)本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,更具體地說(shuō),本發(fā)明涉及一種新穎的CMOS圖像傳感器結(jié)構(gòu),其能夠減少或者消除CMOS圖像傳感器相鄰像素之間的光串?dāng)_現(xiàn)象。圖像傳感器屬于光電產(chǎn)業(yè)里的光電元件類,隨著數(shù)碼技術(shù)、半導(dǎo)體制造技術(shù)以及網(wǎng)絡(luò)的迅速發(fā)展,目前市場(chǎng)和業(yè)界都面臨著跨越各平...
  • 薄膜晶體管及其制作方法和顯示器件與流程
    薄膜晶體管及其制作方法和顯示器件本發(fā)明涉及薄膜晶體管顯示,尤其涉及一種薄膜晶體管及其制作方法和顯示器件。近年來(lái),顯示技術(shù)得到快速的發(fā)展,同時(shí)用于驅(qū)動(dòng)并控制像素的薄膜晶體管技術(shù)也隨之得到發(fā)展,已由原來(lái)的非晶硅薄膜晶體管發(fā)展到現(xiàn)在的低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物薄膜晶體管等。非晶...
  • 變阻器及其制作方法與流程
    變阻器及其制作方法本發(fā)明涉及電學(xué)領(lǐng)域,尤其涉及一種變阻器及其制作方法。變阻器是一種常用的電路元器件,其可以調(diào)節(jié)電阻阻值大小的裝置,從而可以改變電路中電流的大小,起到限制電流、保護(hù)電路的作用,同時(shí)還可改變電路中電壓的分配。發(fā)明人在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過(guò)程中發(fā)現(xiàn),目前尚無(wú)一種阻值可以連續(xù)改變且...
  • 具有平坦化尖端的化學(xué)機(jī)械研磨墊修整器及其相關(guān)方法與流程
    具有平坦化尖端的化學(xué)機(jī)械研磨墊修整器及其相關(guān)方法本發(fā)明是一種具有平坦化尖端的化學(xué)機(jī)械研磨墊修整器及其相關(guān)方法。迄今,半導(dǎo)體工業(yè)每年花費(fèi)超過(guò)十億美元制造必須具有非常平坦且光滑表面的硅晶圓。已有許多的技術(shù)用以制造光滑且具有平坦表面的硅晶圓。其中最常見(jiàn)的工藝稱為化學(xué)機(jī)械研磨(CMP),其...
  • 磁性環(huán)氧樹(shù)脂粉體溶劑及其用于封裝電感的方法本發(fā)明涉及一種用于封裝直插式電感器的磁性環(huán)氧樹(shù)脂粉體溶劑及其制造工藝和封裝直插式電感器方法。隨著電子產(chǎn)品的小型化及各類高清顯示器的問(wèn)世和LED照明產(chǎn)品的低成本化普及,對(duì)現(xiàn)有的電感器件有了更高的要求,既要求電感器件尺寸的小型化,其電流能力不變...
  • 中壓投切電容器組用真空開(kāi)關(guān)的制作方法
    中壓投切電容器組用真空開(kāi)關(guān)本發(fā)明涉及中壓電力領(lǐng)域,具體而言,涉及一種中壓投切電容器組用真空開(kāi)關(guān)。中壓電力系統(tǒng)在進(jìn)行無(wú)功補(bǔ)償時(shí),常采用真空開(kāi)關(guān)用于投切電容器組。相關(guān)技術(shù)中,真空開(kāi)關(guān)在投切電容器組的過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生各種復(fù)雜的操作過(guò)電壓,現(xiàn)有的投切電容器組的真空開(kāi)關(guān)因?yàn)槊肯嘀挥幸粋€(gè)滅弧室,由...
  • 在納米線側(cè)壁生長(zhǎng)量子點(diǎn)的復(fù)合納異質(zhì)結(jié)構(gòu)的制備方法與流程
    在納米線側(cè)壁生長(zhǎng)量子點(diǎn)的復(fù)合納異質(zhì)結(jié)構(gòu)的制備方法本發(fā)明涉及納米工程,特別涉及一種在納米線側(cè)壁生長(zhǎng)量子點(diǎn)的復(fù)合納異質(zhì)結(jié)構(gòu)的制備方法。近年來(lái),半導(dǎo)體納米線以其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和新穎的性能受到了人們的廣泛關(guān)注。已問(wèn)世的納米激光器、場(chǎng)效應(yīng)管、發(fā)光二極管、太陽(yáng)能電池和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備等納米光電...
  • 存儲(chǔ)卡連接器的制作方法
    存儲(chǔ)卡連接器本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)卡連接器,其用于比如微型SD卡、SIM卡和微型SIM卡等的存儲(chǔ)卡。日本未審查專利公布No.2007-157524是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的存儲(chǔ)卡連接器的實(shí)例。該存儲(chǔ)卡連接器配置有外殼,外殼配備有存儲(chǔ)卡可移動(dòng)地插入在其中的存儲(chǔ)卡容納部分(accommodation...
  • 半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制作方法
    半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置本說(shuō)明書(shū)中記載的實(shí)施方式涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。近年來(lái),伴隨著半導(dǎo)體裝置的集成度提高,構(gòu)成半導(dǎo)體裝置的晶體管等電路圖案越來(lái)越微細(xì)化。該圖案的微細(xì)化不僅要求線寬變細(xì),還要求提高圖案的尺寸精度、位置精度。該狀況對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置也不例外。眾所周知且已投入市場(chǎng)的DRAM、SR...
  • 一種電子消弧插排的制作方法
    一種電子消弧插排本發(fā)明涉及一種插排,更具體的說(shuō),涉及一種電子消弧插排、插座。技術(shù)背景插排在生活與生產(chǎn)中通過(guò)一座多用達(dá)到了節(jié)省空間和線路的目的,是生活和生產(chǎn)的必需品。隨著生活與生產(chǎn)中用電設(shè)備的日益增多,插排的使用也越來(lái)越廣泛。由于插頭在插入插座的過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生電弧,其瞬間溫度很高,會(huì)導(dǎo)致觸頭表...
  • 一種玻璃絕緣子材料本發(fā)明涉及一種玻璃絕緣子材料,特別涉及一種以廢含鉛玻璃為原料制備得到的絕緣子玻璃件。絕緣子是一種主要用于支承架空輸電線路導(dǎo)線并使之絕緣的器件。目前使用的絕緣子主要包括瓷絕緣子、玻璃絕緣子和有機(jī)復(fù)合絕緣子三種。傳統(tǒng)瓷絕緣子制造工藝復(fù)雜,耗能大,產(chǎn)品笨重易碎,抗拉和抗...
  • 一種面向芯片級(jí)器件的焊點(diǎn)制備方法及裝置與流程
    一種面向芯片級(jí)器件的焊點(diǎn)制備方法及裝置本發(fā)明屬于電子封裝,具體涉及一種芯片級(jí)器件的焊點(diǎn)制備方法及裝置。隨著電子產(chǎn)品向輕、薄、短、小且功能多樣方向發(fā)展,要求電子芯片封裝的密度高、具有良好的電和熱性能、可靠性好、成本低。一般的芯片級(jí)器件為了方便連接,都采用焊點(diǎn)的方法實(shí)現(xiàn)電氣連接...
  • 一種斷路器組件及單P斷路器的制作方法
    一種斷路器組件及單P斷路器本發(fā)明涉及電氣控制,特別涉及一種斷路器組件及單P斷路器。目前,在電氣控制技術(shù)行業(yè)中,電源系統(tǒng)一般需要供電給多個(gè)負(fù)載設(shè)備,故其饋線輸出用到的斷路器組件具有多個(gè)斷路器,特別是在交流單相供電與直流通信電源供電的場(chǎng)合,饋線輸出用到的斷路器組件中的斷路器一般...
  • 一種天線接收裝置的制作方法
    一種天線接收裝置本發(fā)明涉及無(wú)線通訊設(shè)備的,尤其是指一種天線接收裝置。天線作為無(wú)線通訊領(lǐng)域中的重要元件之一,隨著無(wú)線通訊科技技術(shù)的發(fā)展,目前,天線的種類已越來(lái)越多,其涉及的范圍也越來(lái)越廣,雖然,現(xiàn)有天線的種類繁多,但總體質(zhì)量參差不齊,譬如,參照附圖5所示,為一種常見(jiàn)的室外天線...
  • 鋰離子動(dòng)力電池用球形錳酸鋰及其前軀體制備方法本發(fā)明涉及一種鋰離子二次電池正極材料的合成方法,具體涉及一種鋰離子動(dòng)力電池用球形錳酸鋰的制備方法。1978年,Armand提出正負(fù)極都用能讓鋰離子嵌入-脫出的TiS2組成濃差電池。這種電池在充放電過(guò)程中,是鋰離子在兩電極間進(jìn)行嵌入脫出循環(huán)...
  • 新型高密度多層線路芯片正裝封裝結(jié)構(gòu)及制作方法與流程
    新型高密度多層線路芯片正裝封裝結(jié)構(gòu)及制作方法本發(fā)明涉及一種新型高密度多層線路芯片正裝封裝結(jié)構(gòu)及制作方法,屬于半導(dǎo)體封裝。當(dāng)前高密度基板封裝結(jié)構(gòu)如圖26所示,其制作工藝主要是在玻璃纖維板核心材料的基礎(chǔ)上通過(guò)積成材料積成的方式疊加形成多層線路板,線路層之間通過(guò)激光鉆孔的方式開(kāi)孔...
  • 一種超材料天線的制作方法
    一種超材料天線本發(fā)明涉及無(wú)線通信領(lǐng)域,特別是涉及一種超材料天線。超材料是指一種以人造微結(jié)構(gòu)為基本單元、以特定方式進(jìn)行空間排布且具有特殊電磁響應(yīng)特性的新型材料。一般來(lái)說(shuō),材料的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率由材料中的微觀結(jié)構(gòu)對(duì)電磁波的響應(yīng)決定,超材料對(duì)電磁響應(yīng)的特征往往不取決于其構(gòu)成材料的本征特質(zhì)...
  • 一種高壓直流氣體斷路器的制作方法
    一種高壓直流氣體斷路器本發(fā)明涉及斷路器,具體涉及一種高壓直流氣體斷路器。目前常用的高壓直流斷路器的原理有自激振蕩型,它激振蕩型和利用限流器件先限流再開(kāi)斷型。利用限流器先限流再開(kāi)斷是當(dāng)今熱門(mén)的研究方向,這也與目前限流技術(shù)的快速發(fā)展是分不開(kāi)的。限流技術(shù)之所以受到關(guān)注,主要有以下...
技術(shù)分類