實施方式涉及封裝基板、半導(dǎo)體封裝、封裝基板的制造方法、半導(dǎo)體封裝的制造方法等。
背景技術(shù)：
1、在電子產(chǎn)品的制造中，在半導(dǎo)體晶片實現(xiàn)電路的工藝稱為前道工藝(front-end，fe)，將晶片組裝成可在實質(zhì)產(chǎn)品中使用的狀態(tài)的工藝稱為后道工藝(back-end，be)，在該后道工藝中包括封裝工藝。
2、近來，作為可實現(xiàn)電子產(chǎn)品快速發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的四項核心技術(shù)有半導(dǎo)體技術(shù)、半導(dǎo)體封裝技術(shù)、制造工藝技術(shù)、軟件技術(shù)。半導(dǎo)體技術(shù)正在以微米以下的納米單位的線寬、千萬個以上的單元(cell)、高速動作、大量散熱等多種形態(tài)發(fā)展，但是并沒有與此相對的完美的封裝技術(shù)作后盾。據(jù)此，半導(dǎo)體的電氣性能，相比于半導(dǎo)體技術(shù)本身的性能，更由封裝技術(shù)及其電連接來決定。
3、作為封裝用基板的材料采用有陶瓷或樹脂。在諸如硅基板的陶瓷基板的情況下，其具有高的電阻值或高的介電率，使得不易搭載高性能高頻的半導(dǎo)體元件。在樹脂基板的情況下，可以相對地搭載高性能高頻的半導(dǎo)體元件。但是，在縮短配線的節(jié)距上存在有局限。
4、近來，作為高端用封裝基板可以采用硅或玻璃。在硅或玻璃基板上形成貫通孔，將導(dǎo)電性物質(zhì)適用于該貫通孔，從而可以縮短元件和母板之間的配線長度，并具有優(yōu)異的電氣特性。
5、并且，半導(dǎo)體封裝可以在進行動作時產(chǎn)生熱量，并且還包括用于釋放這樣的熱量的散熱單元。
6、作為相關(guān)的在先技術(shù)，例舉有韓國發(fā)明專利公開公報10-2021-0022980號、韓國發(fā)明專利公開公報10-2022-0050121號等。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、所要解決的技術(shù)問題
2、實施方式的目的在于提供一種封裝基板的制造方法及利用其的封裝基板，在使用玻璃基板的封裝基板中，使空腔部的側(cè)壁和空腔元件之間的間隙配置成具有較小的體積。
3、并且，實施方式的目的在于提供一種封裝基板的制造方法及利用其的封裝基板，通過使空腔部的側(cè)壁傾斜地形成來以錐形(tapered)形態(tài)形成間隙，使得利用減少用于填充間隙的填充物質(zhì)的損失等方法來減少表面擾動(surface?fluctuation)，從而有利于堆積層的形成。
4、用于解決問題的技術(shù)方案
5、為了實現(xiàn)所述目的，根據(jù)一實施方式的封裝基板，其包括：玻璃基板，具有彼此相對的第一面和第二面；空腔部，形成在所述玻璃基板；以及空腔元件，配置在所述空腔部。
6、所述空腔部包括：空腔空間，供所述空腔元件的至少一部分插入；以及側(cè)壁，包圍所述空腔空間，在所述空腔元件的一個側(cè)面和所述側(cè)壁之間配置有間隙。
7、所述間隙可以由一種以上的填充材料填充而形成。
8、所述間隙的長度可以為50μm以下。
9、所述側(cè)壁可以傾斜地形成，所述側(cè)壁和所述第二面之間的角度為65度以上。
10、在側(cè)面呈傾斜的情況下，所述間隙的長度可以為在所述側(cè)壁和所述空腔元件的一個側(cè)面之間的距離中最大的值，所述間隙的長度為50μm以下。
11、所述空腔部可以為全空腔型，其中所述空腔空間貫穿所述玻璃基板；或者，所述空腔部可以為半空腔型，其中所述空腔空間呈所述玻璃基板的所述第一面或所述第二面凹陷的形態(tài)。
12、所述空腔部可以具有位于所述空腔空間的開口部的開放面以及所述空腔空間的凹陷部底部面或與所述開放面相向的底部面，所述開放面的面積大于所述底部面的面積。
13、所述玻璃基板可以包括第一空腔部和第二空腔部。
14、在所述第一空腔部可以配置有第一空腔元件，在所述第二空腔部可以配置有第二空腔元件。
15、當(dāng)從截面觀察時，配置在所述第一空腔元件的兩側(cè)的間隙和配置在所述第二空腔元件的兩側(cè)的間隙之和可以為200μm以下。
16、在所述空腔部可以配置有第一空腔元件和第二空腔元件。
17、當(dāng)從截面觀察時，配置在所述第一空腔元件的兩側(cè)的間隙和配置在所述第二空腔元件的兩側(cè)的間隙之和可以為150μm以下。
18、另外，為了實現(xiàn)所述目的，根據(jù)一實施方式的封裝基板的制造方法，其包括：準(zhǔn)備設(shè)有空腔部的玻璃基板和空腔元件的步驟；以及在所述空腔部配置空腔元件并填充的步驟。
19、所述玻璃基板具有彼此相對的第一面和第二面。
20、所述空腔部可以包括：空腔空間，供所述空腔元件的至少一部分插入；以及側(cè)壁，包圍所述空腔空間，在所述空腔元件的一個側(cè)面和所述側(cè)壁之間配置有間隙，在所述填充的步驟中，利用填充材料填充所述間隙來形成填充部。
21、所述空腔部可以為全空腔型，其中所述空腔空間貫穿所述玻璃基板，所述配置空腔元件的步驟是在所述第二面之下貼合支撐層的狀態(tài)下進行的，所述支撐層在所述填充的步驟之后被去除。
22、所述側(cè)壁可以傾斜地形成，與所述側(cè)壁垂直于所述第二面的情況相比，所述填充材料的所需量減少30％以上。
23、技術(shù)效果
24、根據(jù)實施方式的封裝基板的制造方法、封裝基板等，可以減少用于填充空腔部的側(cè)壁和空腔元件之間的間隙的體積，據(jù)此能夠提高玻璃基板的使用面積，并減少填充物質(zhì)的損失，并且減少表面擾動(surface?fluctuation)而有利于產(chǎn)生追加形成堆積層(build-up?layer)的效果。
25、并且，通過將空腔部的側(cè)壁傾斜地形成等，可以減少用于填充空腔部的側(cè)壁和空腔元件之間的間隙的體積，據(jù)此能夠提高玻璃基板的使用面積，并減少填充物質(zhì)的損失，并且減少表面擾動(surface?fluctuation)而有利于產(chǎn)生追加形成堆積層(build-up?layer)的效果。
1.一種封裝基板，其中，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板，其中，
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板，其中，
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板，其中，
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板，其中，
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板，其中，
7.一種封裝基板的制造方法，其中，
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝基板的制造方法，其中，
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝基板的制造方法，其中，