本公開涉及納米材料加工，更具體地，涉及一種靜電吸附微探針及其制備方法。
背景技術(shù)：
1、隨著納米科技的飛速發(fā)展，納米材料在電子、能源、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。這些應(yīng)用往往需要將納米材料精確地轉(zhuǎn)移到特定的基底或與其他材料進(jìn)行組裝，以實(shí)現(xiàn)特定的功能和性能。目前，納米材料的轉(zhuǎn)移與組裝方法包括機(jī)械轉(zhuǎn)移、光學(xué)鑷子、靜電吸附等。其中，靜電吸附技術(shù)因其操作簡(jiǎn)便、成本低、適用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，受到廣泛關(guān)注。
2、然而，現(xiàn)有的基于靜電吸附原理的設(shè)備或方法仍存在一些問題和不足?，F(xiàn)有的靜電吸附裝置往往難以實(shí)現(xiàn)對(duì)納米材料的精確控制和定位，導(dǎo)致組裝精度不高，無法滿足一些高精度納米器件的制造需求。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、（一）要解決的技術(shù)問題
2、本公開提供了一種靜電吸附微探針及其制備方法，用于至少部分解決上述技術(shù)問題之一。
3、（二）技術(shù)方案
4、根據(jù)本公開的第一個(gè)方面，提供一種靜電吸附微探針，包括：針尖，包括片狀金屬電極組，片狀金屬電極組通電后形成電場(chǎng)，電場(chǎng)用于吸附目標(biāo)材料；電學(xué)連接接口，用于連接外部電源，外部電源用于控制片狀金屬電極組的電壓，以在針尖形成電場(chǎng)。
5、可選地，片狀金屬電極組由3個(gè)金屬電極構(gòu)成，3個(gè)金屬電極平行設(shè)置，各金屬電極的寬度相同。
6、可選地，電學(xué)連接接口的數(shù)量與金屬電極數(shù)量相同，每一金屬電極對(duì)應(yīng)一個(gè)電學(xué)連接接口，在3個(gè)金屬電極中施加不同電壓，形成用于吸附目標(biāo)材料的電場(chǎng)。
7、可選地，在片狀金屬電極組中位于中間位置的金屬電極施加高電壓，在片狀金屬電極組中其他的金屬電極施加低電壓，以在電極之間形成電場(chǎng)。
8、可選地，將通電后的針尖靠近目標(biāo)材料，電場(chǎng)與目標(biāo)材料之間產(chǎn)生靜電吸附力，將目標(biāo)材料吸附在針尖上。
9、可選地，還包括絕緣層，絕緣層用于包裹片狀金屬電極組。
10、可選地，金屬電極之間平行排列，金屬電極的寬度為1.8μm~2.2μm，金屬電極的厚度不同，位于中間位置的金屬電極厚度為0.4μm~0.6μm，其余金屬電極的厚度為0.1μm~0.3μm。
11、可選地，金屬電極的材料為銅。
12、可選地，絕緣層的材料為二氧化硅或氮化硅。
13、根據(jù)本公開的第二個(gè)方面，提供一種靜電吸附微探針的制備方法，包括：基于等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)生長(zhǎng)絕緣層；在絕緣層表面制備第一金屬電極；在第一金屬電極表面沉積絕緣層，重復(fù)以上步驟直至得到片狀金屬電極組；在片狀金屬電極組表面沉積絕緣層，使絕緣層覆蓋片狀金屬電極組；利用光刻圖形化技術(shù)刻蝕絕緣層，得到靜電吸附微探針。
14、（三）有益效果
15、本公開提供的靜電吸附微探針至少包括以下有益效果：
16、能夠精確控制和定位尺寸在微米以下的納米材料，提高納米材料轉(zhuǎn)移和組裝的精確性、穩(wěn)定性和效率，滿足高精度納米器件的制造需求。且適用于各種形狀和表面性質(zhì)的納米材料，包括導(dǎo)電、半導(dǎo)電、絕緣材料以及非導(dǎo)磁材料等，提升靜電吸附的應(yīng)用場(chǎng)景，滿足不同納米材料的轉(zhuǎn)移和組裝需求。
1.一種靜電吸附微探針，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸附微探針，其特征在于，所述片狀金屬電極組由3個(gè)金屬電極構(gòu)成，所述3個(gè)金屬電極平行設(shè)置，各金屬電極的寬度相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的靜電吸附微探針，其特征在于，所述電學(xué)連接接口的數(shù)量與所述金屬電極數(shù)量相同，每一金屬電極對(duì)應(yīng)一個(gè)電學(xué)連接接口，在所述3個(gè)金屬電極中施加不同電壓，形成用于吸附目標(biāo)材料的電場(chǎng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的靜電吸附微探針，其特征在于，在所述片狀金屬電極組中位于中間位置的金屬電極施加高電壓，在所述片狀金屬電極組中其他的金屬電極施加低電壓，以在電極之間形成電場(chǎng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸附微探針，將通電后的針尖靠近所述目標(biāo)材料，所述電場(chǎng)與所述目標(biāo)材料之間產(chǎn)生靜電吸附力，將所述目標(biāo)材料吸附在針尖上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸附微探針，還包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的靜電吸附微探針，所述金屬電極之間平行排列，所述金屬電極的寬度為1.8μm?~2.2μm，所述金屬電極的厚度不同，位于中間位置的金屬電極厚度為0.4μm~0.6μm，其余金屬電極的厚度為0.1μm?~0.3μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的靜電吸附微探針，其特征在于，所述金屬電極的材料為銅。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的靜電吸附微探針，其特征在于，所述絕緣層的材料為二氧化硅或氮化硅。
10.一種靜電吸附微探針的制備方法，用于制備權(quán)利要求1~9中任一項(xiàng)靜電吸附微探針，其特征在于，所述方法包括：