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一種采用鎂化物法去除一次鹽水中SiO2和Al的方法與流程

文檔序號:42295169發(fā)布日期:2025-06-27 18:31閱讀:5來源:國知局

本發(fā)明涉及一種去除一次鹽水中sio2和al的方法,特別是采用鎂化物法去除一次鹽水中sio2和al的方法。


背景技術(shù):

1、目前的離子膜燒堿裝置中一次鹽水全部使用精制鹽,大部分廠家的精制鹽中鈣、鎂含量較低,一次鹽水系統(tǒng)中由精制鹽和補充水中帶來的sio2和al,而使用的補充水中sio2、al又超標(biāo)。所以鹽水系統(tǒng)中的sio2、al在精制過程中,全部使用精制鹽作為原料,不能隨碳酸鈣和氫氧化鎂一起帶走,會在系統(tǒng)內(nèi)富積升高。一次鹽水中al和sio2的控制指標(biāo)分別是小于100ppb和小于5000ppb。而一次鹽水中的al含量最高時達(dá)到1179ppb、sio2含量達(dá)到9344ppb,鹽水中sio2、al嚴(yán)重超標(biāo)對離子膜電解槽運行造成很大的傷害,引起電解槽電壓升高,電流效率下降,燒堿的交流電耗大幅度上升。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供了一種采用鎂化物法去除一次鹽水中sio2和al的方法,它可以有效地去除鹽水中sio2和al,使得sio2和al含量變少。

2、本發(fā)明采用了以下技術(shù)方案:一種采用鎂化物法去除一次鹽水中sio2和al的方法,其特征是它首先將鎂化物投入到一次鹽水中并提高一次鹽水的水溫,這樣在堿性條件下進(jìn)行水解形成mgo和mg(oh)2的復(fù)雜分子,由于mgo和mg(oh)2的表面活性大,由于提高水溫可以加速除硅過程,并使除硅效果提高,因此使得提高水溫后的一次鹽水中以各種形態(tài)存在的硅酸化合物以及含鋁物質(zhì)能夠吸附到mgo和mg(oh)2的復(fù)雜分子的表面并得到進(jìn)行沉淀,從而形成復(fù)雜的難溶物質(zhì),然后再通過澄清器停留進(jìn)行過濾,從而將該難溶物質(zhì)進(jìn)行過濾沉淀后,其硅酸化合物以及氫氧化鋁上的sio2和al也隨著難溶物從一次鹽水中去除,一次鹽水得到有效的澄清。

3、進(jìn)一步說,堿性條件的ph值為10.1~10.3,鎂化物中的?mg2+在ph值范圍內(nèi)形成mgo和mg(oh)2的復(fù)雜分子,mgo和mg(oh)2起到吸附作用。

4、進(jìn)一步說,一次鹽水中的硅酸化合物以二氧化硅和硅酸鹽形態(tài)共存;含鋁物質(zhì)以氫氧化鋁和偏鋁酸鹽形態(tài)共存。

5、進(jìn)一步說,提高一次鹽水的水溫至40℃,使得一次鹽水在40?℃時出水中殘留硅可達(dá)1?mg/l以下。

6、進(jìn)一步說,澄清器中的停留時間:當(dāng)一次鹽水的水溫為30?℃時,停留時間應(yīng)大于或等于1?h,一次鹽水的水溫為40?℃時,停留時間應(yīng)小于或等于1?h,一次鹽水的水溫為120℃時,停留時間應(yīng)20-30min。

7、進(jìn)一步說,鎂化物為氯化鎂或氧化鎂。

8、本發(fā)明具有以下有益效果:采用了以上技術(shù)方案后,本發(fā)明主要是利用吸附和凝聚原理,鎂化物一般采用氯化鎂或氧化鎂。在堿性條件下氯化鎂或氧化鎂水解形成mgo和mg(oh)2的復(fù)雜分子,其表面活性較大,能將水中不同形態(tài)存在的硅酸化合物、氫氧化鋁沉淀或膠體吸附到顆粒表面,形成復(fù)雜難溶的化合物,沉淀過濾后,這樣就可以實現(xiàn)在一次鹽水中去除sio2和al的目的,從而降低一次鹽水sio2和al的含量,一次鹽水中的al含量小于0.02ppm,sio2含量小于2.6ppm,

9、而且該方法操作簡單,成本低,操作時運行穩(wěn)定可靠。采用該去除防范

10、實施方式

11、下面對本發(fā)明專利的優(yōu)選實施例進(jìn)行詳細(xì)闡述,以使本發(fā)明專利的優(yōu)點和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解,從而對本發(fā)明專利的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。

12、本發(fā)明提供了一種采用鎂化物法去除一次鹽水中sio2和al的方法,其特征是它首先將鎂化物投入到一次鹽水中并提高一次鹽水的水溫,鎂化物為氯化鎂或氧化鎂,本實施例鎂化物為氯化鎂,這樣在堿性條件下進(jìn)行水解形成mgo和mg(oh)2的復(fù)雜分子,由于mgo和mg(oh)2的表面活性大,由于提高水溫可以加速除硅過程,并使除硅效果提高,因此使得提高水溫后的一次鹽水中以各種形態(tài)存在的硅酸化合物以及含鋁物質(zhì)能夠吸附到mgo和mg(oh)2的復(fù)雜分子的表面并得到進(jìn)行沉淀,從而形成復(fù)雜的難溶物質(zhì),然后再通過澄清器停留進(jìn)行過濾,從而將該難溶物質(zhì)進(jìn)行過濾沉淀后,其硅酸化合物以及氫氧化鋁上的sio2和al也隨著難溶物從一次鹽水中去除,一次鹽水得到有效的澄清,堿性條件的ph值為10.1~10.3,本實施例的堿性條件的ph值為10.1,鎂化物中的?mg2+在ph值范圍內(nèi)形成mgo和mg(oh)2的復(fù)雜分子,mgo和mg(oh)2起到吸附作用,本實施例的一次鹽水中的硅酸化合物以二氧化硅和硅酸鹽形態(tài)共存;含鋁物質(zhì)以氫氧化鋁和偏鋁酸鹽形態(tài)共存,本實施例提高一次鹽水的水溫至40℃,使得一次鹽水在40?℃時出水中殘留硅可達(dá)1?mg/l以下,本實施例的澄清器中的停留時間:當(dāng)一次鹽水的水溫為30?℃時,停留時間應(yīng)大于或等于1?h,一次鹽水的水溫為40?℃時,停留時間應(yīng)小于或等于1?h,一次鹽水的水溫為120?℃時,停留時間應(yīng)20-30min。

13、雜質(zhì)硅、鋁的損壞機(jī)理:硅和鋁存在于一些鹽中,通常以粘土、泥沙的形式,也可能存在于用于制造鹽水的水中,sio2在強(qiáng)堿性環(huán)境下以離子狀態(tài)(硅酸鹽)溶入鹽水,利用過濾器和樹脂塔也不能除去;在酸性環(huán)境中形成非離子型的硅酸,生成程度不同的sio2膠體顆粒,受na+運動的影響而進(jìn)入膜中,膜內(nèi)ph值由陽極側(cè)到陰極側(cè)逐漸升高,硅酸在膜中向陰極側(cè)運動時,逐漸離解成硅酸鹽形式的陰離子。陰離子被陰極的電場力排斥,但又不斷被膜對水分子的傳輸力推動向前,因此不斷積累在離子膜中。作為陰離子,它將與任何可用的陽離子結(jié)合并形成沉淀,堵塞離子膜空隙,使膜形成針孔而導(dǎo)致槽電壓升高,直接影響膜的性能、電流效率及使用壽命。(sio2+2naoh=na2sio3+h2o),在鹽中鋁會以粘土組分的形態(tài)存在。如果過濾不成功,這些粘土?xí)S鹽水進(jìn)入陽極室,由于陽極室中是酸性狀態(tài),此時泥土?xí)芙猓尫配X離子,對于其他離子(比如硅酸鹽),它就像個捕捉器,和它們形成復(fù)合物沉淀,破壞離子膜的物理結(jié)構(gòu),造成電流效率下降。此外,鋁會隨著ph值的增加而變成鋁酸鹽形式的陰離子,陰離子被陰極電場力排斥而離開膜,但是又受到離子膜向前傳輸水的推動力,從而在膜中積聚與其他陽離子形成沉淀化合物,破壞離子膜降低電流效率,消耗產(chǎn)品氫氧化鈉。

14、al3++3oh-=al(oh)3????al(oh)3+naoh=naalo2+2h2o。

15、本實施例一次鹽水的原水水質(zhì)影響:原水的硬度大時對鎂劑脫硅的效果有利,原水中硅化合物含量對鎂劑比耗有影響。鎂劑比耗隨原水硅化合物含量的增加而減少,隨水中膠體硅所占比例的增加而增加,一般在5~20范圍內(nèi)。

16、不局限于此,任何不經(jīng)過創(chuàng)造性勞動想到的變化或替換,都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明專利的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此,本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書所限定的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。



技術(shù)特征:

1.一種采用鎂化物法去除一次鹽水中sio2和al的方法,其特征是它首先將鎂化物投入到一次鹽水中并提高一次鹽水的水溫,這樣在堿性條件下進(jìn)行水解形成mgo和mg(oh)2的復(fù)雜分子,由于mgo和mg(oh)2的表面活性大,由于提高水溫可以加速除硅過程,并使除硅效果提高,因此使得提高水溫后的一次鹽水中以各種形態(tài)存在的硅酸化合物以及含鋁物質(zhì)能夠吸附到mgo和mg(oh)2的復(fù)雜分子的表面并得到進(jìn)行沉淀,從而形成復(fù)雜的難溶物質(zhì),然后再通過澄清器停留進(jìn)行過濾,從而將該難溶物質(zhì)進(jìn)行過濾沉淀后,其硅酸化合物以及氫氧化鋁上的sio2和al也隨著難溶物從一次鹽水中去除,一次鹽水得到有效的澄清。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用鎂化物法去除一次鹽水中sio2和al的方法,其特征是堿性條件的ph值為10.1~10.3,鎂化物中的?mg2+在ph值范圍內(nèi)形成mgo和mg(oh)2的復(fù)雜分子,mgo和mg(oh)2起到吸附作用。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用鎂化物法去除一次鹽水中sio2和al的方法,其特征是一次鹽水中的硅酸化合物以二氧化硅和硅酸鹽形態(tài)共存;含鋁物質(zhì)以氫氧化鋁和偏鋁酸鹽形態(tài)共存。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用鎂化物法去除一次鹽水中sio2和al的方法,其特征是提高一次鹽水的水溫至40℃,使得一次鹽水在40?℃時出水中殘留硅可達(dá)1?mg/l以下。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用鎂化物法去除一次鹽水中sio2和al的方法,其特征是澄清器中的停留時間:當(dāng)一次鹽水的水溫為30?℃時,停留時間應(yīng)大于或等于1?h,一次鹽水的水溫為40?℃時,停留時間應(yīng)小于或等于1?h,一次鹽水的水溫為120?℃時,停留時間應(yīng)20-30min。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用鎂化物法去除一次鹽水中sio2和al的方法,其特征是鎂化物為氯化鎂或氧化鎂。


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種采用鎂化物法去除一次鹽水中SiO2和Al的方法,將鎂化物投入到一次鹽水中并提高一次鹽水的水溫,在堿性條件下進(jìn)行水解形成MgO和Mg(OH)2的復(fù)雜分子,由于MgO和Mg(OH)2的表面活性大,提高水溫可以加速除硅過程,使除硅效果提高,因此使得提高水溫后的一次鹽水中以各種形態(tài)存在的硅酸化合物以及含鋁物質(zhì)能夠吸附到MgO和Mg(OH)2的復(fù)雜分子的表面并得到進(jìn)行沉淀,再通過澄清器停留進(jìn)行過濾,從而將該難溶物質(zhì)進(jìn)行過濾沉淀后,其硅酸化合物以及氫氧化鋁上的SiO2和Al也隨著難溶物從一次鹽水中去除,一次鹽水得到有效的澄清。本發(fā)明有效地去除鹽水中SiO2和Al,使得SiO2和Al含量變少。

技術(shù)研發(fā)人員:陳玉林,張俊,張亞峰,王廣華,周玉斌
受保護(hù)的技術(shù)使用者:江蘇梅蘭化工有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/6/26
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