本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備，特別涉及一種氣相沉積室。
背景技術(shù)：
1、在半導(dǎo)體材料生長及薄膜制備技術(shù)領(lǐng)域，水平流設(shè)備以其獨(dú)特的氣體流動特性和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，成為實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量薄膜沉積和材料生長的關(guān)鍵設(shè)備之一，其核心設(shè)計(jì)在于確保襯底的生長面與源氣的流動方向基本保持平行，通過精確控制氣體的流動模式，達(dá)到優(yōu)化材料生長或薄膜沉積均勻性的目的。
2、然而，盡管水平流設(shè)備在理論上具有諸多優(yōu)勢，但在實(shí)際應(yīng)用過程中卻面臨著一系列挑戰(zhàn)。具體而言，當(dāng)源氣被引入設(shè)備內(nèi)部后，由于流動方向與襯底生長面近似平行，導(dǎo)致沿源氣的來流方向，源氣邊流動邊反應(yīng)，呈現(xiàn)耗盡趨勢。這可能導(dǎo)致薄膜厚度出現(xiàn)顯著的不均勻性，進(jìn)而可能對最終產(chǎn)品的性能和可靠性造成不利影響。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、鑒于現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷及不足，本申請?zhí)峁┮环N氣相沉積室，能夠在工藝過程中實(shí)時根據(jù)沉積情況，實(shí)現(xiàn)對待鍍膜襯底傾斜角度的實(shí)時調(diào)節(jié)并確保調(diào)節(jié)過程的穩(wěn)定性，有利于優(yōu)化源氣在待鍍膜襯底上沉積時的耗盡趨勢，提高待鍍膜襯底膜層厚度的均勻性。
2、本申請?zhí)峁┮环N氣相沉積室，包括：
3、生長腔室；
4、承載座，設(shè)于所述生長腔室內(nèi)，頂面設(shè)置有第一凹槽，所述第一凹槽的一側(cè)側(cè)壁開口；
5、軸體，固定設(shè)于所述承載座中部，所述軸體頂部突出于所述承載座頂面，所述第一凹槽的一側(cè)側(cè)壁開口靠近所述軸體頂部；
6、承載盤，設(shè)于所述第一凹槽內(nèi)，所述承載盤頂面設(shè)置有第二凹槽以容納待鍍膜襯底；所述承載盤包括活動端部和自由端部，所述活動端部經(jīng)所述第一凹槽的一側(cè)側(cè)壁開口與所述軸體頂部活動適配；
7、傾斜支撐機(jī)構(gòu)，設(shè)置于所述承載座，包括用于提供承載盤驅(qū)動介質(zhì)的介質(zhì)供應(yīng)管路以及連通所述介質(zhì)供應(yīng)管路的活動支撐部，所述活動支撐部位于所述自由端部下方，以在所述承載盤驅(qū)動介質(zhì)的作用下抬升或下降，以帶動所述自由端部相對所述活動端部抬升或下降；
8、源氣注入裝置，與所述承載座中部相對設(shè)置，用于向所述生長腔室內(nèi)注入源氣，使所述源氣沿所述活動端部指向所述自由端部的方向流經(jīng)所述待鍍膜襯底。
9、作為一種實(shí)施方式，所述活動支撐部包括頂部開口且內(nèi)部中空的支撐本體，以及自所述支撐本體頂部活動設(shè)于所述支撐本體內(nèi)的升降本體，所述升降本體位于所述自由端部下方，所述介質(zhì)供應(yīng)管路的一端連通所述支撐本體內(nèi)，所述承載盤驅(qū)動介質(zhì)進(jìn)入所述支撐本體內(nèi)并作用于所述升降本體底部，使得所述升降本體頂部突出于所述支撐本體頂部，或者容納于所述支撐本體內(nèi)，從而帶動所述自由端部相對所述活動端部抬升或下降。
10、作為一種實(shí)施方式，所述支撐本體和所述介質(zhì)供應(yīng)管路設(shè)于所述承載座內(nèi)，所述第一凹槽底面設(shè)有適配所述升降本體活動貫穿的出口結(jié)構(gòu)。
11、作為一種實(shí)施方式，所述支撐本體包括氣缸，所述升降本體包括活動設(shè)置于所述氣缸內(nèi)的活塞。
12、作為一種實(shí)施方式，所述活動支撐部、所述承載座以及所述承載盤具有相同的組成材料，所述組成材料包括石墨。
13、作為一種實(shí)施方式，所述介質(zhì)供應(yīng)管路設(shè)置于所述承載座內(nèi)，位于所述承載盤下方，并延伸至所述軸體內(nèi)并經(jīng)所述軸體延伸到所述生長腔室外，所述活動支撐部與所述介質(zhì)供應(yīng)管路沿所述承載座的徑向相對。
14、作為一種實(shí)施方式，所述第一凹槽和所述傾斜支撐機(jī)構(gòu)的數(shù)量均至少為2，并一一對應(yīng)設(shè)置。
15、作為一種實(shí)施方式，所述第一凹槽的數(shù)目至少為2，并圍繞所述軸體均勻排布。
16、作為一種實(shí)施方式，所述第一凹槽和對應(yīng)所容納的所述承載盤均呈扇環(huán)形。
17、作為一種實(shí)施方式，所述承載座頂面包括除所述第一凹槽外的承載座頂表面，所述承載盤頂面包括除所述第二凹槽外的承載盤頂表面，所述承載座頂表面與所述承載盤頂表面齊平。
18、作為一種實(shí)施方式，所述活動端部包括朝向所述軸體頂部側(cè)壁的端部側(cè)壁；
19、所述端部側(cè)壁與所述軸體頂部的至少部分側(cè)壁滑動貼合；或者，
20、所述端部側(cè)壁與所述軸體頂部側(cè)壁之間具有間距，當(dāng)所述自由端部相對所述活動端部抬升，所述承載盤經(jīng)所述第一凹槽的一側(cè)側(cè)壁開口朝向所述軸體運(yùn)動，并使所述端部側(cè)壁與所述軸體頂部的至少部分側(cè)壁滑動貼合。
21、作為一種實(shí)施方式，所述間距不超過0.2毫米。
22、作為一種實(shí)施方式，所述軸體頂部與對應(yīng)所述第一凹槽之間區(qū)域的底面與所述第一凹槽底面齊平，所述軸體頂面與對應(yīng)所述第一凹槽所容納承載盤的頂面之間的高度差大于等于0且小于2厘米。
23、作為一種實(shí)施方式，所述軸體頂部側(cè)壁的形狀與所述端部側(cè)壁的形狀為凹凸貼合關(guān)系。
24、作為一種實(shí)施方式，所述軸體設(shè)置有自轉(zhuǎn)驅(qū)動氣道，所述自轉(zhuǎn)驅(qū)動氣道經(jīng)所述軸體頂部側(cè)壁延伸入所述承載盤，所述自轉(zhuǎn)驅(qū)動氣道的出氣口設(shè)置于所述第二凹槽的底部，以提供自轉(zhuǎn)驅(qū)動氣體使所述待鍍膜襯底相對所述承載盤自轉(zhuǎn)。
25、作為一種實(shí)施方式，所述端部側(cè)壁與所述軸體頂部的至少部分側(cè)壁滑動貼合，所述自轉(zhuǎn)驅(qū)動氣道位于所述軸體頂部側(cè)壁的出口與位于所述端部側(cè)壁的進(jìn)口相通；
26、在所述自由端部相對所述活動端部抬升的過程中，所述自轉(zhuǎn)驅(qū)動氣道位于所述軸體頂部側(cè)壁的出口與位于所述端部側(cè)壁的進(jìn)口相通。
27、作為一種實(shí)施方式，所述端部側(cè)壁與所述軸體頂部側(cè)壁之間具有間距，所述自轉(zhuǎn)驅(qū)動氣道位于所述軸體頂部側(cè)壁的出口與位于所述端部側(cè)壁的進(jìn)口相對；
28、在所述自由端部相對所述活動端部抬升的過程中，所述自轉(zhuǎn)驅(qū)動氣道位于所述軸體頂部側(cè)壁的出口與位于所述端部側(cè)壁的進(jìn)口相通。
29、如上所述，本申請的氣相沉積室，具有以下有益效果：
30、本申請的氣相沉積室，將軸體固定設(shè)于承載座中部，軸體頂部突出于承載座頂面，承載座頂面設(shè)置的第一凹槽靠近軸體頂部的一側(cè)側(cè)壁開口；用于容納待鍍膜襯底的承載盤容納于第一凹槽，承載盤包括活動端部和自由端部，活動端部經(jīng)第一凹槽的一側(cè)側(cè)壁開口與軸體頂部活動適配；傾斜支撐機(jī)構(gòu)的活動支撐部位于自由端部下方，活動支撐部與介質(zhì)供應(yīng)管路連通，在介質(zhì)供應(yīng)管路提供承載盤驅(qū)動介質(zhì)時，活動支撐部帶動自由端部相對活動端部抬升或下降，從而優(yōu)化源氣在待鍍膜襯底上沉積時的耗盡趨勢，提高待鍍膜襯底膜層厚度的均勻性，實(shí)現(xiàn)對待鍍膜襯底傾斜角度的實(shí)時調(diào)節(jié)并確保調(diào)節(jié)過程的穩(wěn)定性。
1.一種氣相沉積室，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣相沉積室，其特征在于，所述活動支撐部包括頂部開口且內(nèi)部中空的支撐本體，以及自所述支撐本體頂部活動設(shè)于所述支撐本體內(nèi)的升降本體，所述升降本體位于所述自由端部下方，所述介質(zhì)供應(yīng)管路的一端連通所述支撐本體內(nèi)，所述承載盤驅(qū)動介質(zhì)進(jìn)入所述支撐本體內(nèi)并作用于所述升降本體底部，使得所述升降本體頂部突出于所述支撐本體頂部，或者容納于所述支撐本體內(nèi)，從而帶動所述自由端部相對所述活動端部抬升或下降。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣相沉積室，其特征在于，所述支撐本體和所述介質(zhì)供應(yīng)管路設(shè)于所述承載座內(nèi)，所述第一凹槽底面設(shè)有適配所述升降本體活動貫穿的出口結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣相沉積室，其特征在于，所述支撐本體包括氣缸，所述升降本體包括活動設(shè)置于所述氣缸內(nèi)的活塞。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣相沉積室，其特征在于，所述活動支撐部、所述承載座以及所述承載盤具有相同的組成材料，所述組成材料包括石墨。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣相沉積室，其特征在于，所述介質(zhì)供應(yīng)管路設(shè)置于所述承載座內(nèi)，位于所述承載盤下方，并延伸至所述軸體內(nèi)并經(jīng)所述軸體延伸到所述生長腔室外，所述活動支撐部與所述介質(zhì)供應(yīng)管路沿所述承載座的徑向相對。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣相沉積室，其特征在于，所述第一凹槽和所述傾斜支撐機(jī)構(gòu)的數(shù)量均至少為2，并一一對應(yīng)設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣相沉積室，其特征在于，所述第一凹槽的數(shù)目至少為2，并圍繞所述軸體均勻排布。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣相沉積室，其特征在于，所述第一凹槽和對應(yīng)所容納的所述承載盤均呈扇環(huán)形。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣相沉積室，其特征在于，所述承載座頂面包括除所述第一凹槽外的承載座頂表面，所述承載盤頂面包括除所述第二凹槽外的承載盤頂表面，所述承載座頂表面與所述承載盤頂表面齊平。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣相沉積室，其特征在于，所述活動端部包括朝向軸體頂部側(cè)壁的端部側(cè)壁；
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的氣相沉積室，其特征在于，所述間距不超過0.2毫米。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的氣相沉積室，其特征在于，所述軸體頂部與對應(yīng)所述第一凹槽之間區(qū)域的底面與所述第一凹槽底面齊平，所述軸體頂面與對應(yīng)所述第一凹槽所容納承載盤的頂面之間的高度差大于等于0且小于2厘米。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的氣相沉積室，其特征在于，所述軸體頂部側(cè)壁的形狀與所述端部側(cè)壁的形狀為凹凸貼合關(guān)系。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的氣相沉積室，其特征在于，所述軸體設(shè)置有自轉(zhuǎn)驅(qū)動氣道，所述自轉(zhuǎn)驅(qū)動氣道經(jīng)所述軸體頂部側(cè)壁延伸入所述承載盤，所述自轉(zhuǎn)驅(qū)動氣道的出氣口設(shè)置于所述第二凹槽的底部，以提供自轉(zhuǎn)驅(qū)動氣體使所述待鍍膜襯底相對所述承載盤自轉(zhuǎn)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的氣相沉積室，其特征在于，所述端部側(cè)壁與所述軸體頂部的至少部分側(cè)壁滑動貼合，所述自轉(zhuǎn)驅(qū)動氣道位于所述軸體頂部側(cè)壁的出口與位于所述端部側(cè)壁的進(jìn)口相通；
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的氣相沉積室，其特征在于，所述端部側(cè)壁與所述軸體頂部側(cè)壁之間具有間距，所述自轉(zhuǎn)驅(qū)動氣道位于所述軸體頂部側(cè)壁的出口與位于所述端部側(cè)壁的進(jìn)口相對；