背景技術(shù)：
1、電子設(shè)備制造處理可能涉及材料沉積、圖案化及移除的許多步驟，以在襯底上形成集成電路?？衫枚喾N方法來(lái)處理材料膜以形成集成電路。例如，原子層沉積(ald)可用于利用一個(gè)或更多個(gè)沉積循環(huán)來(lái)以逐層方式在襯底上形成膜。在ald循環(huán)中，膜前體氣體吸附至襯底的表面上，該襯底設(shè)置于處理室中。過(guò)剩的膜前體從該處理室清除，且該吸附的膜前體化學(xué)品轉(zhuǎn)化成在該襯底上的膜。例如，該吸附的前體可氧化以形成氧化物膜。目標(biāo)厚度的高度保形的膜可利用一個(gè)或更多個(gè)沉積循環(huán)來(lái)生長(zhǎng)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、提供本
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
，以利用簡(jiǎn)化的形式來(lái)介紹概念的選擇，其將在以下的具體實(shí)施方式中進(jìn)一步描述。本發(fā)明內(nèi)容不意圖識(shí)別所要求保護(hù)的主題的關(guān)鍵特征或基本特征，也不意圖用于限制所要求保護(hù)的主題的范圍。此外，所要求保護(hù)的主題不限于解決本公開(kāi)內(nèi)容的任何部分中所提到的任何或所有缺點(diǎn)的實(shí)現(xiàn)方案。
2、公開(kāi)的示例涉及在ald處理中利用抑制劑以避免在填充襯底上的間隙時(shí)形成接縫。一示例提供一種處理襯底的方法，該襯底包含在間隔件之間的間隙。該方法包含執(zhí)行多個(gè)原子層沉積(ald)循環(huán)以利用氧化物膜來(lái)填充這些間隔件之間的間隙。該多個(gè)ald循環(huán)中的ald循環(huán)包含在被配置成將抑制劑沉積進(jìn)入該間隙中的條件下將該襯底暴露于抑制劑，使得在該間隙中的第一深度處沉積的抑制劑的濃度高于在該間隙中的第二深度處沉積的抑制劑的濃度。在該間隙中該第二深度比該第一深度更深。該方法進(jìn)一步包含，在填充這些間隔件之間的該間隙之后，執(zhí)行蝕刻循環(huán)以暴露這些間隔件。該方法進(jìn)一步包含移除這些間隔件。
3、在一些這樣的示例中，該抑制劑包含含碳抑制劑。
4、在一些這樣的示例中，該含碳抑制劑附加地或替代地包含以下一者或更多者：烷、烯、炔、環(huán)烴、醇、二醇、醛、酯、醚、酮、鹵烷、烷胺、或烷基二胺。
5、在一些這樣的示例中，該抑制劑附加地或替代地包含含氮抑制劑。
6、在一些這樣的示例中，該含氮抑制劑附加地或替代地包含以下一者或更多者：氮、氨、胺、二胺、或胺醇。
7、在一些這樣的示例中，將該襯底暴露于該抑制劑附加地或替代地包含：形成包含該抑制劑的等離子體。
8、在一些這樣的示例中，該抑制劑附加地或替代地包含含氟抑制劑。
9、在一些這樣的示例中，該含氟抑制劑附加地或替代地包含以下一者或更多者：氟、三氟化氮、或碳氟化合物。
10、在一些這樣的示例中，該方法附加地或替代地還包含：執(zhí)行該多個(gè)ald循環(huán)中的省略將該襯底暴露于該抑制劑的ald循環(huán)。
11、在一些這樣的示例中，該多個(gè)的ald循環(huán)中的兩個(gè)或更多個(gè)ald循環(huán)包含將該襯底暴露于該抑制劑。
12、另一示例提供原子層沉積(ald)工具。該ald工具包含處理室。該ald工具進(jìn)一步包含襯底支撐件，其被設(shè)置于該處理室中。該ald工具進(jìn)一步包含膜前體源，其包含膜前體。該ald工具進(jìn)一步包含氧化劑氣體源，其包含氧化劑。該ald工具進(jìn)一步包含抑制劑源，其包含抑制劑。該ald工具進(jìn)一步包含流量控制硬件，其被配置成控制該膜前體、該氧化劑、及該抑制劑進(jìn)入該處理室的流量。該ald工具進(jìn)一步包含射頻電源，其被配置成于該處理室中形成等離子體。該ald工具進(jìn)一步包含控制器，其被配置成控制該ald工具，以操作該流量控制硬件在被配置成在襯底上的間隔件之間的間隙中沉積抑制劑的條件下將該抑制劑引入該處理室中，使得在該間隙中的第一深度處沉積的該抑制劑的濃度高于在該間隙中的第二深度處沉積的該抑制劑的濃度。在該間隙中該第二深度比該第一深度更深。該控制器進(jìn)一步被配置成操作該流量控制硬件來(lái)將該膜前體引入該處理室中，以使該膜前體吸附至該襯底上。該控制器進(jìn)一步被配置成操作該流量控制硬件和該射頻電源以將該氧化劑引入該處理室中并形成等離子體，從而氧化該膜前體以形成氧化物膜層。
13、在一些這樣的示例中，該膜前體包含以下一者或更多者：含硅前體、含鋁前體、含鉿前體、含鈦前體、含鎢前體、含錫前體、或含鉬前體。
14、在一些這樣的示例中，該抑制劑附加地或替代地包含含碳抑制劑。
15、在一些這樣的示例中，該含碳抑制劑附加地或替代地包含以下一者或更多者：烷、烯、炔、環(huán)烴、芳香烴、醇、二醇、醛、酯、醚、酮、鹵烷、烷胺、或烷基二胺。
16、在一些這樣的示例中，該抑制劑附加地或替代地包含含氮抑制劑。
17、在一些這樣的示例中，該抑制劑附加地或替代地包含含氟抑制劑。
18、在一些這樣的示例中，該控制器附加地或替代地進(jìn)一步被配置成操作該ald工具來(lái)執(zhí)行鈍化步驟以從該襯底移除該抑制劑中的至少一些。
19、另一示例提供一種于集成電路制造處理中在襯底上形成的結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)包含多個(gè)間隔件，其位于該襯底的表面上，該多個(gè)間隔件限定一個(gè)或更多個(gè)間隙。該結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包含氧化物膜，其至少部分地填充該一個(gè)或更多個(gè)間隙。該結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包含抑制劑，其于該一個(gè)或更多個(gè)間隙中沉積，在該一個(gè)或更多個(gè)間隙中第一深度處沉積的該抑制劑的濃度高于在該一個(gè)或更多個(gè)間隙中第二深度處沉積的該抑制劑的濃度，在該間隙中該第二深度比該第一深度更深，該抑制劑被配置成抑制該氧化物膜的生長(zhǎng)。
20、在一些這樣的示例中，該襯底附加地或替代地包含：特征密集區(qū)域，其包含兩個(gè)或更多個(gè)間隔件、沒(méi)有特征的空間；且該抑制劑進(jìn)一步沉積在沒(méi)有特征的該空間上。
21、在一些這樣的示例中，該氧化物膜附加地或替代地包含以下一者：硅氧化物、錫氧化物、鈦氧化物、鎢氧化物、鉿氧化物、氧化鋁、或鉬氧化物。
1.一種處理包含介于間隔件之間的間隙的襯底的方法，所述方法包含：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述抑制劑包含含碳抑制劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述含碳抑制劑包含烷、烯、炔、環(huán)烴、醇、二醇、醛、酯、醚、酮、鹵烷、烷胺、或烷基二胺中的一者或更多者。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述抑制劑包含含氮抑制劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述含氮抑制劑包含氮、氨、胺、二胺、或胺醇中的一者或更多者。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中將所述襯底暴露于所述抑制劑包含：形成包含所述抑制劑的等離子體。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述抑制劑包含含氟抑制劑。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述含氟抑制劑包含氟、三氟化氮、或碳氟化合物中的一者或更多者。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其還包含執(zhí)行所述多個(gè)ald循環(huán)中的省略將所述襯底暴露于所述抑制劑的ald循環(huán)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個(gè)ald循環(huán)中的更多個(gè)中的兩個(gè)ald循環(huán)包含將所述襯底暴露于所述抑制劑。
11.一種原子層沉積(ald)工具，其包含：
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的ald工具，其中所述膜前體包含含硅前體、含鋁前體、含鉿前體、含鈦前體、含鎢前體、含錫前體或含鉬前體中的一者或更多者。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的ald工具，其中所述抑制劑包含含碳抑制劑。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的ald工具，其中所述含碳抑制劑包含烷、烯、炔、環(huán)烴、芳香烴、醇、二醇、醛、酯、醚、酮、鹵烷、烷胺、或烷基二胺中的一者或更多者。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的ald工具，其中所述抑制劑包含含氮抑制劑。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的ald工具，其中所述抑制劑包含含氟抑制劑。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的ald工具，其中所述控制器進(jìn)一步被配置成操作所述ald工具來(lái)執(zhí)行鈍化步驟，以從所述襯底移除所述抑制劑中的至少一些。
18.一種在集成電路制造處理中在襯底上形成的結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包含：
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的結(jié)構(gòu)，其中所述襯底包含：包含所述多個(gè)間隔件的特征密集區(qū)域、沒(méi)有特征的空間；且所述抑制劑進(jìn)一步沉積在沒(méi)有特征的所述空間上。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的結(jié)構(gòu)，其中所述氧化物膜包含硅氧化物、錫氧化物、鈦氧化物、鎢氧化物、鉿氧化物、鋁氧化物、或鉬氧化物中的一者。