本發(fā)明涉及一種晶圓處理裝置及晶圓處理方法，特別是涉及一種包含遠(yuǎn)端電漿系統(tǒng)的晶圓處理裝置及晶圓處理方法。
背景技術(shù)：
1、在半導(dǎo)體制造工藝中，包含微影、沉積和蝕刻等工藝。以電漿加強(qiáng)原子層沉積(plasma?enhanced?atomic?layer?deposition，peald)為例，是通過(guò)將反應(yīng)氣體供應(yīng)到處理腔中，以使反應(yīng)氣體在晶圓上產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，形成沉積薄膜。
2、然而，隨著半導(dǎo)體裝置的尺寸持續(xù)縮小與深寬比的增加，現(xiàn)有的晶圓處理裝置難以將薄膜均勻且精確地沉積在具有高深寬比的晶圓表面。因此，在高深寬比的結(jié)構(gòu)中的鍍膜均勻度與孔隙深入能力仍有待改善。
3、因此，如何通過(guò)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的改良來(lái)提升鍍膜的均勻度與孔隙深入能力以克服上述的缺陷，已成為該項(xiàng)事業(yè)所想要解決的重要課題之一。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足提供一種晶圓處理裝置，所述晶圓處理裝置包括:殼體，所述殼體內(nèi)具有用于處理晶圓的處理空間；加熱支撐件，所述加熱支撐件在所述處理空間中加熱及支撐所述晶圓；氣體分散頭，所述氣體分散頭對(duì)應(yīng)于所述加熱支撐件設(shè)置在所述殼體的頂部；第一氣體源，所述第一氣體源通過(guò)第一配管連接于所述處理空間的頂部，以在第一方向上提供第一氣體；第二氣體源，所述第二氣體源通過(guò)第二配管連接于所述處理空間的側(cè)壁，以在垂直于所述第一方向的第二方向上提供第二氣體；以及遠(yuǎn)端等離子系統(tǒng)，所述遠(yuǎn)端等離子系統(tǒng)設(shè)置于所述氣體分散頭與所述第一氣體源之間。
2、更進(jìn)一步地，所述第一配管包括連接所述第一氣體源與所述遠(yuǎn)端等離子系統(tǒng)的第一區(qū)段以及連接所述遠(yuǎn)端等離子系統(tǒng)與所述處理空間的第二區(qū)段。
3、更進(jìn)一步地，所述第一區(qū)段以s型配置，且所述第二區(qū)段具有直角。
4、更進(jìn)一步地，所述晶圓處理裝置還包括設(shè)置于所述處理空間的頂部的抽氣裝置，所述抽氣裝置包括多個(gè)抽氣通道，所述多個(gè)抽氣通道在所述加熱支撐件的上方與多個(gè)進(jìn)氣通道交替排列。
5、更進(jìn)一步地，所述晶圓處理裝置還包括相對(duì)于所述第二氣體源，設(shè)置在所述處理空間的另一側(cè)壁的抽氣裝置。
6、更進(jìn)一步地，所述抽氣裝置通過(guò)低壓腔間接地連接所述處理空間，所述低壓腔的壓力小于所述處理空間的壓力。
7、更進(jìn)一步地，所述處理空間與所述低壓腔之間具有閥門。
8、更進(jìn)一步地，所述晶圓處理裝置還包括熱耦接于所述第一氣體源的第一加熱裝置及熱耦接于所述第二氣體源的第二加熱裝置。
9、更進(jìn)一步地，所述晶圓處理裝置還包括電性耦接于所述加熱支撐件的電源。
10、更進(jìn)一步地，所述晶圓的深寬比大于10：1。
11、為了解決上述的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明所采用的其中一技術(shù)方案是提供一種晶圓處理方法，其包括：步驟s10:在第一方向上注入第一前驅(qū)物，并開啟電性耦接于加熱支撐件的電源；步驟s20:在第一方向上注入第一惰性氣體，并關(guān)閉所述電源；步驟s30:在第二方向上注入第二前驅(qū)物，并開啟所述電源，所述第二方向垂直于所述第一方向；步驟s40:在第二方向上注入第二惰性氣體，并關(guān)閉所述電源；以及步驟s50:重復(fù)步驟s10至步驟s40，并清潔遠(yuǎn)端等離子系統(tǒng)及進(jìn)行抽氣。
12、更進(jìn)一步地，所述晶圓處理方法還包括在注入所述第一前驅(qū)物及所述第二前驅(qū)物之前，加熱所述第一前驅(qū)物及所述第二前驅(qū)物。
13、更進(jìn)一步地，所述進(jìn)行抽氣是在所述第一方向或所述第二方向上抽氣。
14、本發(fā)明的其中一有益效果在于，本發(fā)明所提供的晶圓處理裝置及晶圓處理方法能通過(guò)“所述第一氣體源通過(guò)第一配管連接于所述處理空間的頂部，以在第一方向上提供第一氣體；所述第二氣體源通過(guò)第二配管連接于所述處理空間的側(cè)壁，以在垂直于所述第一方向的第二方向上提供第二氣體”以及“所述遠(yuǎn)端等離子系統(tǒng)設(shè)置于所述氣體分散頭與所述第一氣體源之間”的技術(shù)方案，以提升在高深寬比的結(jié)構(gòu)中的鍍膜均勻度與孔隙深入能力。
15、為使能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，然而所提供的附圖僅用于提供參考與說(shuō)明，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。
1.一種晶圓處理裝置，其特征在于，所述晶圓處理裝置包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述第一配管包括連接所述第一氣體源與所述遠(yuǎn)端等離子系統(tǒng)的第一區(qū)段以及連接所述遠(yuǎn)端等離子系統(tǒng)與所述處理空間的第二區(qū)段。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述第一區(qū)段以s型配置，且所述第二區(qū)段具有直角。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述晶圓處理裝置還包括設(shè)置于所述處理空間的頂部的抽氣裝置，所述抽氣裝置包括多個(gè)抽氣通道，所述多個(gè)抽氣通道在所述加熱支撐件的上方與多個(gè)進(jìn)氣通道交替排列。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述晶圓處理裝置還包括相對(duì)于所述第二氣體源，設(shè)置在所述處理空間的另一側(cè)壁的抽氣裝置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述抽氣裝置通過(guò)低壓腔間接地連接所述處理空間，所述低壓腔的壓力小于所述處理空間的壓力。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述處理空間與所述低壓腔之間具有閥門。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述晶圓處理裝置還包括熱耦接于所述第一氣體源的第一加熱裝置及熱耦接于所述第二氣體源的第二加熱裝置。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述晶圓處理裝置還包括電性耦接于所述加熱支撐件的電源。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓處理裝置，其特征在于，所述晶圓的深寬比大于10：1。
11.一種晶圓處理方法，其特征在于，所述晶圓處理方法包括：
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶圓處理方法，其特征在于，所述晶圓處理方法還包括在注入所述第一前驅(qū)物及所述第二前驅(qū)物之前，加熱所述第一前驅(qū)物及所述第二前驅(qū)物。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶圓處理方法，其特征在于，所述進(jìn)行抽氣是在所述第一方向或所述第二方向上抽氣。