本技術(shù)涉及半導(dǎo)體功率器件，尤其涉及一種溝槽型mosfet晶圓的掩模版。
背景技術(shù)：
1、隨著電子消費(fèi)產(chǎn)品需求的增長(zhǎng)，mosfet器件的需求越來越大。溝槽型mosfet(metal-oxide-semiconductor?field-effect?transistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)由于其器件的集成度較高，具有較低的柵-漏電荷密度、較大的電流容量，且具備較低的開關(guān)損耗，被廣泛地應(yīng)用在低壓功率領(lǐng)域。
2、傳統(tǒng)溝槽型mosfet(metal-oxide-semiconductor?field-effect?transistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的溝槽層掩膜版為單一方向，例如單一橫向溝槽掩模版或者單一縱向溝槽掩模版。而在溝槽型mosfet大尺寸晶圓生產(chǎn)過程中，由于深溝槽的刻蝕以及后續(xù)不同材質(zhì)的填充，晶圓會(huì)產(chǎn)生較大的內(nèi)應(yīng)力，致使晶圓翹曲嚴(yán)重，生產(chǎn)設(shè)備無法正常加工晶圓導(dǎo)致晶圓破片甚至生產(chǎn)中止。
3、因此亟需一種能夠緩解晶圓翹曲的方式。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的至少部分問題和缺陷，本實(shí)用新型實(shí)施例公開了一種溝槽型mosfet晶圓的掩模版，以緩解現(xiàn)有溝槽型mosfet其晶圓會(huì)產(chǎn)生較大的內(nèi)應(yīng)力導(dǎo)致翹曲嚴(yán)重的問題。
2、具體地，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種溝槽型mosfet晶圓的掩模版，包括：掩膜基板；光刻圖案，設(shè)置于所述掩膜基板上，所述光刻圖案用于光刻時(shí)在晶圓上形成溝槽層；其中，所述光刻圖案包括第一溝槽圖案和第二溝槽圖案，所述第一溝槽圖案內(nèi)包含多條間隔設(shè)置的第一線條，所述第一線條沿第一方向延伸，所述第二溝槽圖案內(nèi)包含多條間隔設(shè)置的第二線條，所述第二線條沿第二方向延伸，所述第一方向與所述第二方向相垂直。
3、本實(shí)用新型實(shí)施例提供的溝槽型mosfet晶圓的掩模版由兩種圖形組成，且兩種圖形分別為橫向溝槽圖案和縱向溝槽圖案，從而通過本實(shí)用新型實(shí)施例提供的掩模版光刻得到的晶圓可以同時(shí)具備橫向溝槽和縱向溝槽，進(jìn)而能夠降低晶圓在加工過程中的內(nèi)應(yīng)力，減小了晶圓翹曲度，不僅便于晶圓生產(chǎn)，還能夠降低破片的風(fēng)險(xiǎn)。此外將兩種單一方向的溝槽圖案布局在同一個(gè)掩模版上，相比于現(xiàn)有技術(shù)中掩模版中單個(gè)溝槽圖案中具有多種分區(qū)或多種線條方向的方式更便于其他圖層布局，從而避免影響晶圓光刻后的源極面積。
4、在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，所述第一溝槽圖案的尺寸與所述第二溝槽圖案的尺寸相同。
5、在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，所述光刻圖案的數(shù)量為多個(gè)，相鄰的兩個(gè)所述光刻圖案不相同。
6、在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，在所述第一方向上，所述第一溝槽圖案與所述第二溝槽圖案交替設(shè)置。
7、在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，在所述第二方向上，所述第一溝槽圖案與所述第二溝槽圖案交替設(shè)置。
8、在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，相鄰的兩個(gè)所述光刻圖案之間具有間隔。
9、在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，在所述第一方向上，所述第一溝槽圖案與所述第二溝槽圖案之間具有第一間隔；在所述第二方向上，所述第一溝槽圖案與所述第二溝槽圖案之間具有第二間隔；所述第一間隔的距離與所述第二間隔的距離相等。
10、在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，所述第一溝槽圖案的數(shù)量為多個(gè)，所述第二溝槽圖案的數(shù)量為多個(gè)，所述第一溝槽圖案的數(shù)量與所述第二溝槽圖案的數(shù)量相同。
11、在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，還包括：劃片槽，設(shè)置于所述掩膜基板上、且位于所述第一溝槽圖案與所述第二溝槽圖案之間。
12、由上可知，本實(shí)用新型上述技術(shù)特征可以具有如下一個(gè)或多個(gè)有益效果：本實(shí)用新型實(shí)施例提供的溝槽型mosfet晶圓的掩模版由兩種圖形組成，且兩種圖形分別為橫向溝槽圖案和縱向溝槽圖案，從而通過本實(shí)用新型實(shí)施例提供的掩模版光刻得到的晶圓可以同時(shí)具備橫向溝槽和縱向溝槽，進(jìn)而能夠降低晶圓在加工過程中的內(nèi)應(yīng)力，減小了晶圓翹曲度，不僅便于晶圓生產(chǎn)，還能夠降低破片的風(fēng)險(xiǎn)。此外將兩種單一方向的溝槽圖案布局在同一個(gè)掩模版上，相比于現(xiàn)有技術(shù)中掩模版中單個(gè)溝槽圖案中具有多種分區(qū)或多種線條方向的方式更便于其他圖層布局，從而避免影響晶圓光刻后的源極面積。
1.一種溝槽型mosfet晶圓的掩模版，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1中所述的溝槽型mosfet晶圓的掩模版，其特征在于，所述第一溝槽圖案的尺寸與所述第二溝槽圖案的尺寸相同。
3.如權(quán)利要求1中所述的溝槽型mosfet晶圓的掩模版，其特征在于，所述光刻圖案的數(shù)量為多個(gè)，相鄰的兩個(gè)所述光刻圖案不相同。
4.如權(quán)利要求3中所述的溝槽型mosfet晶圓的掩模版，其特征在于，在所述第一方向上，所述第一溝槽圖案與所述第二溝槽圖案交替設(shè)置。
5.如權(quán)利要求3中所述的溝槽型mosfet晶圓的掩模版，其特征在于，在所述第二方向上，所述第一溝槽圖案與所述第二溝槽圖案交替設(shè)置。
6.如權(quán)利要求3中所述的溝槽型mosfet晶圓的掩模版，其特征在于，相鄰的兩個(gè)所述光刻圖案之間具有間隔。
7.如權(quán)利要求6中所述的溝槽型mosfet晶圓的掩模版，其特征在于，在所述第一方向上，所述第一溝槽圖案與所述第二溝槽圖案之間具有第一間隔；在所述第二方向上，所述第一溝槽圖案與所述第二溝槽圖案之間具有第二間隔；所述第一間隔的距離與所述第二間隔的距離相等。
8.如權(quán)利要求3中所述的溝槽型mosfet晶圓的掩模版，其特征在于，所述第一溝槽圖案的數(shù)量為多個(gè)，所述第二溝槽圖案的數(shù)量為多個(gè)，所述第一溝槽圖案的數(shù)量與所述第二溝槽圖案的數(shù)量相同。
9.如權(quán)利要求1-8中任意一項(xiàng)所述的溝槽型mosfet晶圓的掩模版，其特征在于，還包括：