本發(fā)明關(guān)于一種用于?euv投射曝光設(shè)備的euv光學模塊。本發(fā)明又關(guān)于一種用于包含此euv光學模塊的euv投射曝光設(shè)備的光學系統(tǒng)、一種包含此光學系統(tǒng)的投射曝光設(shè)備、一種借助于此投射曝光設(shè)備生產(chǎn)微結(jié)構(gòu)化部件或納米結(jié)構(gòu)化部件的方法、以及一種由此方法所生產(chǎn)的微結(jié)構(gòu)化部件或納米結(jié)構(gòu)化部件。
背景技術(shù)：
1、用于具有用于產(chǎn)生所使用euv輻射的euv源的euv投射曝光設(shè)備的euv光學模塊從例如us?7,598,508?b2可獲知。de?10?2021?202?802?b3揭示包含用于確定原子氫濃度的裝置的投射曝光設(shè)備。de?10?2017?213?406?a1揭示用于euv光刻的反射光學元件、以及調(diào)整部件的幾何形狀的方法。de?10?2016?208?850?a1揭示用于半導(dǎo)體光刻的具有用于等離子體調(diào)節(jié)的元件的投射曝光設(shè)備。de?10?2020?202?179?a1揭示用于euv光刻的光學設(shè)置以及一種確定用于目標等離子體參數(shù)的所需值的方法。us?2010/0071720?a1揭示用于從表面去除污染物的方法和系統(tǒng)。us?2011/0143288?a1揭示輻射源、光刻系統(tǒng)以及部件生產(chǎn)方法。us2012/0086925?a1揭示避免污染物的方法以及euv光刻系統(tǒng)。us?2007/0012889?a1揭示用于euv的氣態(tài)頻譜純度濾光片以及包含其的光學系統(tǒng)。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本發(fā)明的目的是要開發(fā)在開始所指定類型的euv光學模塊，使得euv投射曝光設(shè)備的操作時間增加。
2、根據(jù)本發(fā)明，通過具有如權(quán)利要求1所述的特征的euv光學模塊實現(xiàn)該目的。
3、根據(jù)本發(fā)明已明白，作為所提供氣體的氫氣導(dǎo)致產(chǎn)生活化氫物質(zhì)（activatedhydrogen?specie）。這特別是可用于產(chǎn)生清潔自由基，利用其有效清潔光學部件的光學表面。這增加euv光學模塊的操作時間。通過定義氫氣分壓，可在減壓腔室中按所需產(chǎn)生活化氫氣物質(zhì)。氣體源也可用于提供另外氣體種類，例如氧氣或氮氣、或兩個或更多個氣體物質(zhì)的混合物。氣體源可具有多個氣體源單元，每個單元用于提供一特定氣體。氣體源可具有至少一個氣體容器。氣體源可具有內(nèi)含不同氣體的兩個或更多個氣體容器。然后，這些氣體容器中的每一者可屬于相應(yīng)氣體源單元。也可提供所提供的至少一個氣體的同位素。在氫氣的情況下，這些是d2hd、t2td、ht（d是氘（deuterium）；t是氚（tritium））。通過添加氫同位素，可將用于解離產(chǎn)生活性氫物質(zhì)（reactive?hydrogen?specie）的有效截面積按比例提高達三個數(shù)量級（orders?of?magnitude），并因此調(diào)整氫在氣體注入的環(huán)境中的反應(yīng)性。減壓腔室可收容多個光學部件，對于其隨后借助于所提供氣體產(chǎn)生對應(yīng)活化氫物質(zhì)和/或氮/氧物質(zhì)，這完成對光學部件的光學表面進行有效清潔和/或反應(yīng)。尤其是在euv源中所使用euv輻射的射束路徑中最接近于投射曝光設(shè)備的那些光學部件可如此實現(xiàn)更長的操作時間。
4、也可經(jīng)由氣體源（尤其是以受控制濃度）提供這些氣體或蒸汽的同位素。在每種情況下，可對氣體的添加進行開回路控制，或者有關(guān)分壓的閉回路控制。
5、如權(quán)利要求3所述的濃度范圍內(nèi)的同位素含量被發(fā)現(xiàn)為特別有優(yōu)勢。取決于所使用的氣體類型，有利的增加解離截面積可在此出現(xiàn)，尤其是均勻的電離截面積。同位素含量可在0.1%至10%之間的同位素濃度范圍內(nèi)。
6、同位素濃度可經(jīng)由使用以上與euv光學模塊的控制閥設(shè)計有關(guān)已闡述的操作狀態(tài)的如權(quán)利要求4所述的操作狀態(tài)，由閉回路控制來控制。
7、如權(quán)利要求5所述的控制閥使得能夠在減壓腔室內(nèi)，經(jīng)由氣體源對至少一個氣體進行開回路或甚至閉回路控制?？商峁┐朔N類的兩個或更多個控制閥。在那種情況下，可在每種情況下將控制閥中至少一個分配給氣體源單元中的每一者，或者氣體源的氣體容器中的每一者。開回路/閉回路控制裝置可設(shè)計成使得所提供的至少一個氣體的相應(yīng)分壓根據(jù)euv光學模塊或投射曝光設(shè)備的操作狀態(tài)來定義。這可使用查詢表完成。操作狀態(tài)可經(jīng)由測量氣體組成物（尤其是h2、n2、nh3、o2、h2o），和/或測量活化物質(zhì)（尤其是h、n及o自由基或離子）的濃度，和/或者測量光學元件的所測量或所計算溫度來定義。特別是，操作狀態(tài)也可經(jīng)由測量光學元件的反射層中的變更來定義。
8、使用如權(quán)利要求6所述的至少一個壓力傳感器允許定義在閉回路控制下所提供的至少一個氣體的分壓。該euv光學模塊可能具有多個此壓力傳感器。在那種情況下，這些壓力傳感器中至少一個可分配給每種氣體種類和/或每個氣體源單元、和/或氣體源的每個氣體容器。例如，若氮和氫經(jīng)由氣體源提供，則壓力傳感器中的一者具體而言可測量氮分壓，且壓力傳感器中的另一者具體而言可測量氫氣分壓。相應(yīng)壓力傳感器尤其也可能分配給相應(yīng)光學部件。
9、如權(quán)利要求7所述的設(shè)計優(yōu)化euv光學模塊在光學部件的光學表面的環(huán)境中的功能。特別是，euv光學模塊隨后可具有壓力傳感器，其確保測量光學部件的光學表面的環(huán)境中的壓力。此類的兩個或更多個壓力傳感器也可分配給恰好一個光學表面，或者分配給一個以上光學表面作為euv光學模塊的一部分。
10、如權(quán)利要求8所述的氫氣分壓已發(fā)現(xiàn)特別適用于確保euv光學模塊的功能。
11、經(jīng)由如權(quán)利要求9所述的氣體源提供的另外氣體同樣已發(fā)現(xiàn)為特別適用于為了增加至少一個光學部件的操作時間而實現(xiàn)euv光學模塊的功能。
12、也可能使用惰性氣體。
13、如權(quán)利要求10或11所述的光學系統(tǒng)、如權(quán)利要求12所述的投射曝光設(shè)備、如權(quán)利要求13所述的生產(chǎn)方法、以及如權(quán)利要求14所述的微結(jié)構(gòu)化或納米結(jié)構(gòu)化部件的優(yōu)勢對應(yīng)于以上參照euv光學模塊所闡述的那些優(yōu)勢。
14、投射曝光設(shè)備的euv光源可設(shè)計成導(dǎo)致例如不大于13.5?nm、小于13.5?nm、小于10nm、小于8?nm、小于7?nm及6.7?nm或6.9?nm的所使用波長。小于6.7?nm的所使用波長，并特別是在6?nm的范圍內(nèi)也可能。
15、特別是，投射曝光設(shè)備可用于生產(chǎn)半導(dǎo)體部件，例如內(nèi)存芯片。
1.一種用于euv投射曝光設(shè)備（1）的euv光學模塊（35）
2.如權(quán)利要求1所述的euv光學模塊，其特征在于，該氣體源（37）設(shè)計成使得添加氫同位素將用于解離產(chǎn)生活性氫物質(zhì)的氣體的有效截面積按比例提高約三個數(shù)量級。
3.如權(quán)利要求2所述的euv光學模塊，其特征在于，同位素的比例對應(yīng)于所提供的該至少一個氣體的0.02-25%。
4.如權(quán)利要求2或3所述的euv光學模塊，其特征在于，所提供氣體中的同位素濃度經(jīng)由該機器的操作狀態(tài)來控制。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的euv光學模塊，其特征在于，該閥是具有對該euv光學模塊（35）的開回路/閉回路控制裝置（33）的信號連接的控制閥。
6.如權(quán)利要求5所述的euv光學模塊，其特征在于，至少一個壓力傳感器（38i）用于測量在該減壓腔室（36）中經(jīng)由該氣體源（37）所提供的該至少一個氣體的分壓，其中該壓力傳感器（38）具有經(jīng)由該開回路/閉回路控制裝置（33）對該控制閥的信號連接。
7.如權(quán)利要求1至6中任一項所述的euv光學模塊，其特征在于，設(shè)計成使得所提供的該至少一個氣體的分壓維持在該光學部件（19、21、23、7、m1至m6、13）的該光學表面的環(huán)境內(nèi)的所定義壓力范圍內(nèi)。
8.如權(quán)利要求1至7中任一項所述的euv光學模塊，其特征在于，設(shè)計成使得在0.2?pa至20?pa之間范圍內(nèi)的氫氣分壓維持在該減壓腔室（36）中。
9.如權(quán)利要求1至8中任一項所述的euv光學模塊，其特征在于，該氣體源（37）設(shè)計成使得其提供在以下之中的至少一個另外氣體：
10.一種用于euv投射曝光設(shè)備的光學系統(tǒng)，包含：
11.一種用于euv投射曝光設(shè)備的光學系統(tǒng)，包含：
12.一種具有如權(quán)利要求10或11所述的光學系統(tǒng)并具有euv光源（3）的投射曝光設(shè)備。
13.一種用于生產(chǎn)結(jié)構(gòu)化部件的方法，包括下列方法步驟：
14.一種結(jié)構(gòu)化部件，由如權(quán)利要求13所述的方法生產(chǎn)。